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STW5NA90

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ST(意法半导体)
Reach Compliance Code
_compli
雪崩能效等级(Eas)
520 mJ
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.3 A
最大漏极电流 (ID)
5.3 A
最大漏源导通电阻
2.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-247AC
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
21.2 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与STW5NA90相近的元器件有:STH5NA90FI。描述及对比如下:
型号 STW5NA90 STH5NA90FI
描述 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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