SYC2149H,SYC2149H pdf中文资料,SYC2149H引脚图,SYC2149H电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Synertek Inc

包装说明

DIP, DIP18,.3

Reach Compliance Code

unknown

最长访问时间

70 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-XDIP-T18

JESD-609代码

内存密度

4096 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

端子数量

字数

1024 words

字数代码

1000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

1KX4

输出特性

3-STATE

封装主体材料

CERAMIC

封装代码

DIP

封装等效代码

DIP18,.3

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

最大压摆率

0.15 mA

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

技术

MOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

参数对比

与SYC2149H相近的元器件有：SYD2149HL-3、SYD2149H-3、SYD2149H-2、SYD2149HL、SYC2149H-2、SYD2149H。描述及对比如下：

型号	SYC2149H	SYD2149HL-3	SYD2149H-3	SYD2149H-2	SYD2149HL	SYC2149H-2	SYD2149H
描述	Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 55ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 55ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 45ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 45ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	70 ns	55 ns	55 ns	45 ns	70 ns	45 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	18	18	18	18	18	18	18
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.15 mA	0.125 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.125 mA	0.15 mA	0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-	-