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SYD2149HL

Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Synertek Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T18
JESD-609代码
e0
内存密度
4096 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
端子数量
18
字数
1024 words
字数代码
1000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1KX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大压摆率
0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
参数对比
与SYD2149HL相近的元器件有:SYD2149HL-3、SYD2149H-3、SYD2149H-2、SYC2149H、SYC2149H-2、SYD2149H。描述及对比如下:
型号 SYD2149HL SYD2149HL-3 SYD2149H-3 SYD2149H-2 SYC2149H SYC2149H-2 SYD2149H
描述 Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX4, 55ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX4, 55ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX4, 45ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX4, 45ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 70 ns 55 ns 55 ns 45 ns 70 ns 45 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4
端子数量 18 18 18 18 18 18 18
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1KX4 1KX4 1KX4 1KX4 1KX4 1KX4 1KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 0.125 mA 0.125 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
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