TBC847A,TBC847A pdf中文资料,TBC847A引脚图,TBC847A电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TBC847A相近的元器件有：TBC847B、TBC848B、TBC848C、TBC846、TBC846B、TBC847、TBC847C、TBC848。描述及对比如下：

型号	TBC847A	TBC847B	TBC848B	TBC848C	TBC846	TBC846B	TBC847	TBC847C	TBC848
描述	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor
包装说明	,	,	,	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
厂商名称	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	-	-	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
是否Rohs认证	-	-	-	符合	符合	符合	符合	符合	符合
最大集电极电流 (IC)	-	-	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	-	-	-	30 V	65 V	65 V	45 V	45 V	30 V
配置	-	-	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	-	-	-	420	110	200	110	420	110
JESD-30 代码	-	-	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	-	-	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	-	-	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	-	-	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	-	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	-	-	-	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	-	-	-	0.25 W	0.25 W	0.25 W	0.25 W	0.25 W	0.25 W
表面贴装	-	-	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	-	-	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	-	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	-	-	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	-	-	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	-	-	-	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
VCEsat-Max	-	-	-	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V

IAR FOR MSP430数据类型: 数据类型字节数据范围说明 sfrb ...; FIH 单片机

51EDN实验板的延时怎么算？: 它的晶振是11。0593MHz。延时怎么算呢？我以前用的是12MHz的晶振。 51EDN实验板的延...; jyfjk 51单片机

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MicroTCA功率互连设计经验之谈: 在电信和商业行业迅速发展的MicroTCA架构可能成为电信产业的电子设计的转折点。以前，许多电信设计...; lianshum 电源技术

labVIEW时域—频域分析

频域（频率域）自变量是频率,即横轴是频率,纵轴是该频率信号的幅度,也就是通常说的频谱图。频谱图描述了信号的频率结构及频率与该频率信号幅度的关系。　　对信号进行时域分析时，有时一些信号的时域参数相同，但并不能说明信号就完全相同。因为信号不仅随时间变化，还与频率、相位等信息有关，这就需要进一步分析信号的频率结构，并在频率域中对信号进行描述。接...[详细]
碳纳米管可让手机充一次电管数月

美国科学家日前声称他们发明了一种新的技术，这种技术不久将可以让手机充一次电管数月，而不是几天。这些来自美国伊利诺伊州大学的电气工程师相信，他们的新技术将能使手机和笔记本电脑充一次电运行的时间是现在的100倍。现在的手机存储器内包含有细长的金属丝，每当用户访问存储器中的数据时，电流就会通过这些金属丝。正是这些金属丝消耗了大部分的电量。电气工程师认为，如果这些...[详细]
三星在韩国取得碟型无人机专利　成为市场潜在竞争者

随着无人机(Drone)产品蔚为市场风潮，不少知名科技业者虽然尚未实际推出产品，但在相关专利技术申请上却也不落人后，成为市场的潜在竞争者。据科技网站SlashGear、Patently Apple，以及韩国先驱报(The Korea Herald)等报导，三星电子(Samsung Electronics)在2016年4月提交韩国智能财产局(Korean Intellectual Propert...[详细]
基于GPRS的油烟远程无线监控系统设计

摘要：利用GPRS实现了油烟的远程无线监控。监控系统以AVR单片机为控制核心，通过采集油烟气体传感器TGs2100的信号，并由GPRS和Internet发送到监控中心服务端PC机，从而实现传感器信号的远程实时检测；监控中心发送的控制命令通过无线网络由单片机接收并根据信号控制外部设备，从而实现无线控制。与传统监控方式相比，该系统具有耗资小，使用便利等优点，具有广阔的应用前景。关键词：GPR...[详细]
三星2011年下半推出20纳米级制程DRAM

　　三星电子(Samsung Electronics) 2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平，再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示，2010年采用30纳米级制程制造DRAM，2011年上半计划采行20纳米级制程推出产品。三星计划每年提升DRAM制程技术，维护业界领先地位。　　20纳米后半制程并非采用极紫外线(EUV)这种次世代曝光方式，而是采用既有的浸...[详细]
探小米专利“家底”水处理是强项

“44/96=46%”。　　估计大多数人很难相信，靠安卓定制系统起家、凭低价智能机出位的小米，居然有近一半获得授权的实用新型专利与手机无关，而与“水处理或净水器”相关。　　不过，这就是小米专利家底的真实现状之一。截至2015年5月25日，小米已累计获得的专利授权中包括：42件发明专利、96件实用新型专利和102件外观设计专利；其中，在99件已获得授权的实用新型专利中，有44件与...[详细]
大摩:NAND Flash复苏第4季已有放缓

集微网消息，大摩26日出具一份有关于半导体产业的中型报告指出，NAND及亚洲半导体厂过去以来，受惠庞大需求扬升及强势定价能力的好光景即将触顶，因此，现阶段正是减码相关业者的好时机。大摩调降台积电评等，最受瞩目。大摩认为，台积电虽在产业创新的科技潮流中定位正确，但因面临HPC（高速运算）需求减缓、智能机芯片尺寸缩小、及代工厂竞争激烈等三大隐忧，因此下调2018、2019年营运预期，并将评等由「...[详细]
三星S21/S21+搭载类2.5D/2.75D微曲面屏，S21 Ultra曲面更大了

外媒报道，对于三星 Galaxy S21 和 S21+ 是否会使用曲面显示屏现在有了分歧。根据爆料人士 Ice Universe 的说法，三星 S21 和 S21+ 都将采用平面显示屏，而 S21 Ultra 将采用曲面显示屏。现在另一位爆料者 Max Jambor 表示，三星 S21 和 S21+ 的显示屏不会是完全的平面显示屏。　　根据 Max 说法，三星 S21 和 S21+ ...[详细]
一图看懂智能家庭设备未来五年出货量，这增速也是没谁了

至今智能型手机的成长速度开始逐渐走缓，面对这样的情势，半导体科技产业持续地寻找下一个能为产业注入蓬勃生机的新领域，其中，智能家庭可望成为半导体科技产业带来新荣景的应用。 10年前苹果(Apple)iPhone为智能型手机往后光辉的发展之路揭开序曲后，至今智能型手机的成长速度也开始逐渐走缓。面对这样的情势，半导体科技产业持续地寻找下一个能为产业注入蓬勃生机的新领域，而市调机构 IHS ...[详细]
新型传感器可通过气味实现疾病的早期诊断

目前医生强调的是早诊断的重要性，能让患者有最好的机会康复。不久的将来，你将能用你的智能手机实现早期预警。旧金山公司研发出可以识别人体呼吸散发出的气体和分子的传感器。而这些物质将会为潜在的疾病提供线索。通过高级的软件和预测算法，与传感器连接的app能够发现人体的任何异常。旧金山的BoydSense公司已经研发出传感器的早期模型，在巴塞罗那的世界移动大会上公司展示...[详细]
微软打算用DNA存储数据但成本和速度仍是个大问题

　　据国外媒体报道，微软去年就开始研究利用DNA 存储数据，而现在微软已打算在2020年建立基于NDA的数据存储系统，不过目前NDA数据存储的成本和速度仍是这一计划顺利推进的障碍。下面就随网络通信小编一起来了解一下项内容吧。　　微软在去年春季开始联合华盛顿大学的研究人员研究利用DNA来存储数据，并在7月份宣布已成功在一段DNA片段中存储了200MB的数据。　　而现在，...[详细]
斑马技术携智慧物流解决方案亮相2023亚洲物流展

2023 年 10 月 24 日，中国上海 – 作为致力于助力企业实现数据、资产和人员智能互联的先进数字解决方案提供商，斑马技术公司）今日重磅亮相第23届亚洲国际物流技术与运输系统展览会（CeMAT ASIA 2023），并在现场展示如何通过数字化技术帮助物流企业优化运营、提升效率。斑马技术大中华区技术总监程宁表示：“数字化浪潮下，市场对于运输与物流的需求远超以往，并且对...[详细]
硅宝科技宁德时代签署合作协议，拟共同开发电池等

8月19日，硅宝科技发布公告称，与宁德时代于2021年8月18日签署《合作框架协议》，双方将充分依托各自行业背景和资源、技术优势，开展合作事项。硅宝科技表示，基于宁德时代在品牌、产业等方面的强大影响力以及硅宝科技在有机硅材料领域多年积累的产业优势，为形成长期全面的合作伙伴关系，双方充分发挥各自的人才、技术、资源、资本、平台优势，以市场为导向，以项目为依托，共同建立全方位、多元化的合作关系，并通...[详细]
三星电子为大众汽车供应汽车芯片，大力发展车载芯片业务

据外媒报道，韩国三星电子公司正在迅速扩大在汽车芯片市场的份额，继奥迪之后，大众汽车也加入了该公司的客户名单。 7月14日，据多位制造业消息人士透露，自今年年初以来，三星电子的Samsung System LSI业务部门一直在为大众汽车提供最新的系统芯片Exynos Auto，用于车载信息和娱乐系统。 Exynos Auto是三星电子独立的系统芯片组件，也是其发布的首款汽车信息娱乐应用。它...[详细]
放点“锰”料！锰含量80%的磷酸锰铁锂材料来了

被视为正极材料重要的升级方向之一的磷酸锰铁锂（LMFP）出现了新的突破。 10月11日，英国初创公司Integrals Power宣布，在磷酸锰铁锂材料的研发方面取得了突破，即材料中的锰含量提升至80%，比容量达到150mAh/g，同时工作电压为4.1V。为什么Integrals Power会说这是突破性进展呢？一是锰含量需要≥50%，才能提升能量密度。目前市面上的磷酸锰铁锂材料的...[详细]