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TLC272MFKB

Dual Single Supply Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
QLCC
包装说明
CERAMIC, LCC-20
针数
20
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.00006 µA
标称共模抑制比
80 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电压
12000 µV
JESD-30 代码
S-CQCC-N20
长度
8.89 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
NO
功能数量
2
端子数量
20
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC20,.35SQ
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功率
NO
电源
4/16 V
可编程功率
NO
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度
2.03 mm
标称压摆率
2.9 V/us
最大压摆率
5 mA
供电电压上限
18 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
1700 kHz
最小电压增益
3500
宽带
NO
宽度
8.89 mm
参数对比
与TLC272MFKB相近的元器件有:TLC272MJG、TLC272MJGB。描述及对比如下:
型号 TLC272MFKB TLC272MJG TLC272MJGB
描述 Dual Single Supply Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 Dual Single Supply Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 Dual Single Supply Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 QLCC DIP DIP
包装说明 CERAMIC, LCC-20 CERAMIC, DIP-8 CERAMIC, DIP-8
针数 20 8 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES YES
最大输入失调电压 12000 µV 12000 µV 12000 µV
JESD-30 代码 S-CQCC-N20 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8
长度 8.89 mm 9.58 mm 9.58 mm
低-偏置 YES YES YES
低-失调 NO NO NO
微功率 NO NO NO
功能数量 2 2 2
端子数量 20 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCN DIP DIP
封装等效代码 LCC20,.35SQ DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
功率 NO NO NO
电源 4/16 V 4/16 V 4/16 V
可编程功率 NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.03 mm 5.08 mm 5.08 mm
标称压摆率 2.9 V/us 2.9 V/us 2.9 V/us
最大压摆率 5 mA 5 mA 5 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1700 kHz 1700 kHz 1700 kHz
最小电压增益 3500 10000 3500
宽带 NO NO NO
宽度 8.89 mm 7.62 mm 7.62 mm
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B - 38535Q/M;38534H;883B
热门器件
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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