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TLC272MJG

Dual Single Supply Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
DIP
包装说明
CERAMIC, DIP-8
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.00006 µA
最小共模抑制比
65 dB
标称共模抑制比
80 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电压
12000 µV
JESD-30 代码
R-GDIP-T8
长度
9.58 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
NO
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
包装方法
TUBE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功率
NO
电源
4/16 V
可编程功率
NO
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
标称压摆率
2.9 V/us
最大压摆率
5 mA
供电电压上限
18 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
1700 kHz
最小电压增益
10000
宽带
NO
宽度
7.62 mm
参数对比
与TLC272MJG相近的元器件有:TLC272MFKB、TLC272MJGB。描述及对比如下:
型号 TLC272MJG TLC272MFKB TLC272MJGB
描述 Dual Single Supply Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 Dual Single Supply Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125 Dual Single Supply Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP QLCC DIP
包装说明 CERAMIC, DIP-8 CERAMIC, LCC-20 CERAMIC, DIP-8
针数 8 20 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES YES
最大输入失调电压 12000 µV 12000 µV 12000 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 S-CQCC-N20 R-GDIP-T8
长度 9.58 mm 8.89 mm 9.58 mm
低-偏置 YES YES YES
低-失调 NO NO NO
微功率 NO NO NO
功能数量 2 2 2
端子数量 8 20 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP QCCN DIP
封装等效代码 DIP8,.3 LCC20,.35SQ DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
功率 NO NO NO
电源 4/16 V 4/16 V 4/16 V
可编程功率 NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 2.03 mm 5.08 mm
标称压摆率 2.9 V/us 2.9 V/us 2.9 V/us
最大压摆率 5 mA 5 mA 5 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1700 kHz 1700 kHz 1700 kHz
最小电压增益 10000 3500 3500
宽带 NO NO NO
宽度 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm
筛选级别 - 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
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