TMC2220G8V,TMC2220G8V pdf中文资料,TMC2220G8V引脚图,TMC2220G8V电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TMC2220G8V相近的元器件有：TMC2221B6V1、TMC2221B6C1、TMC2220H8C1、TMC2220G8V1、TMC2220G8C1、TMC2220G8C、TMC2220H8C、TMC2221B6C、TMC2221B6V。描述及对比如下：

型号	TMC2220G8V	TMC2221B6V1	TMC2221B6C1	TMC2220H8C1	TMC2220G8V1	TMC2220G8C1	TMC2220G8C	TMC2220H8C	TMC2221B6C	TMC2221B6V
描述	Correlator, 4-Bit, CMOS, CPGA68,	Correlator, 1-Bit, CMOS, CDIP28,	Correlator, 1-Bit, CMOS, CDIP28,	Correlator, 4-Bit, CMOS, PPGA69,	Correlator, 4-Bit, CMOS, CPGA68,	Correlator, 4-Bit, CMOS, CPGA68,	Correlator, 4-Bit, CMOS, CPGA68,	Correlator, 4-Bit, CMOS, PPGA69,	Correlator, 1-Bit, CMOS, CDIP28,	Correlator, 1-Bit, CMOS, CDIP28,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
边界扫描	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大时钟频率	17 MHz	20 MHz	20 MHz	20 MHz	20 MHz	20 MHz	17 MHz	17 MHz	17 MHz	17 MHz
外部数据总线宽度	4	1	1	4	4	4	4	4	1	1
JESD-30 代码	S-CPGA-P68	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	S-PPGA-P69	S-CPGA-P68	S-CPGA-P68	S-CPGA-P68	S-PPGA-P69	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
低功率模式	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子数量	68	28	28	69	68	68	68	69	28	28
最高工作温度	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C
输出数据总线宽度	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	PGA	DIP	DIP	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	DIP	DIP
封装等效代码	PGA68,11X11	DIP28,.6	DIP28,.6	PGA68,11X11	PGA68,11X11	PGA68,11X11	PGA68,11X11	PGA68,11X11	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	IN-LINE	IN-LINE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	80 mA	80 mA	70 mA	70 mA	80 mA	70 mA	70 mA	70 mA	70 mA	80 mA
最大供电电压	5.5 V	5.5 V	5.25 V	5.25 V	5.5 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.5 V
最小供电电压	4.5 V	4.5 V	4.75 V	4.75 V	4.5 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.5 V
标称供电电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR	DUAL	DUAL	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	DUAL	DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR	DSP PERIPHERAL, CORRELATOR
其他特性	OPTEMP SPECIFIED AS TC; ICC SPECIFIED @ 20MHZ	OPTEMP SPECIFIED AS TC	-	-	OPTEMP SPECIFIED AS TC	-	ICC SPECIFIED @ 20MHZ	ICC SPECIFIED @ 20MHZ	ICC SPECIFIED @ 20MHZ	OPTEMP SPECIFIED AS TC; ICC SPECIFIED @ 20MHZ
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	-	5 V	5 V	5 V	-	-	-	5 V	5 V	5 V
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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关于单片机的选择【特别跟瑞萨有关】: 看了一下今年还是瑞萨赞助的，我怕他又指定单片机，所以得选一个瑞萨的单片机来看看，有什么好推荐吗，我做...; dvaidlin12 电子竞赛

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STM32学习笔记——PWM基础知识与720电机驱动

1. 定义脉冲宽度调制：是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。（百度百科）它是一种对模拟信号电平进行数字编码的方法，通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。 **SPWM波形：**脉冲宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的 PWM 波形。把正弦半波波形分成N等份，就可把正...[详细]
电容式接近控制电路设计

在图中，三极管VT1与周围元件构成一个射频振荡电路；金属感应电极片连在VT1的集电极作为探测器。在没有其他导体接近感应电极片时，VT1组成的振荡电路正常振荡，此时VT1发射极输出的射频电压信号经VD1、VD2检波后成为直流控制信号，该信号使开关管VT2导通，继电器得电吸合，接通被控电路的电源：当有导体接近感应电极片时，由于任何靠近感应电极片的导体都会感应出电极片和“地”之间的电容，而电容的...[详细]
国产智能手机争相出海：赴美面临8大风险

在国内运营商连续三年大规模降低终端补贴、市场竞争呈现“惨烈”局面下，国内终端厂商正掀起新一轮出海潮。以中兴、TCL（阿尔卡特）为代表的手机厂商在布局多年美国市场后，开始取得明显成效。华为在欧洲运营商定制市场历经波折后，份额明显提升。联想则通过收购摩托罗拉移动业务成为美国第五大手机厂商，小米、金立等积极布局印度等新兴市场。十年之前，在MTK“交钥匙”方案的支持下，国产手机厂商掀...[详细]
凝“芯”聚力，中关村集成电路设计园推动产联融合

栽下梧桐，引得凤凰。承载着为北京构建“高精尖”经济结构和科技创新城市使命的中关村集成电路设计园，正步入2018年年初交付使用的收获期。日前，中关村集成电路设计园正式推出“IC合伙人”计划，为招揽企业入驻园区做最后的冲击。汇聚芯片产业上下游 “合伙人”顾名思义，就是让每一个入驻的企业都与中关村集成电路设计园成为合伙人。只要创业团队或企业是来自与集成电路相关的行业领域的，都是“IC合伙人”招...[详细]
TDK：详解MLCC技术及材料未来发展

中心议题： • MLCC技术及材料未来发展趋势解决方案： • MLCC封装趋向小型化及薄型化发展 • MLCC性能走向低ESL/ESR和大容量化 • MLCC未来技术发展动向随著半导体集成技术的发展，IC的集成度越来越高，线路板表面上元器件的使用日趋减少。不过随著各种电子设备功能的增加、半导体器件的高速化低功耗(低电压驱动)趋势...[详细]
LED驱动电源企业面临的挑战

LED驱动电源企业面临的挑战近年来，LED发展迅速。受我国LED产业火热态势的拉升，LED驱动电源市场也呈现出巨大的商机。为此，众企业纷纷转型，开始向LED驱动电源领域发展，进而取得了较好的成绩。近期，记者走访了众多企业，了解LED驱动电源的发展情况，做出以下总结。 (1)LED产业链引领企业发展深圳深聚源电子科技有限公司早期是做半导体芯片的设计与销售的企业，在LED产业链的带动下，于...[详细]
TE Connectivity公布2022财年第二季度财报

在持续强劲的经营表现推动下，季度销售额创新高，每股收益实现两位数增长瑞士沙夫豪森——2022年4月29日——近日，TE Connectivity（以下简称“TE”）公布了截至2022年3月25日的2022财年第二季度财报。第二财季亮点 • 净销售额为40亿美元，较2021财年同比增长7%，自然增长8%。各大解决方案均实现增长。 • 订单额为45亿美元，订单出货比达1.13...[详细]
2225任意函数信号发生器使用方法

在实验室，要对信号进行测量，需要有信号源。信号源又被称为信号发生器、振荡器，是用来产生各种电子信号的仪器。按照其产生信号的波形不同，分为：正弦信号发生器、函数信号发生器、扫频信号发生器等等。其中函数信号发生器能产生特定的周期性函数波形（正弦波、方波、三角波、锯齿波和脉冲波等）信号，频率范围可从几个微赫到几十兆赫。除供通信、仪表和自动控制系统测试用外，还广泛用于其他非电测量领域。本节主要介绍GW ...[详细]
Microsemi宣布收购Zarlink半导体公司

Microsemi修订了收购Zarlink所有流通普通股和信用债券的报价，分别为每股3.98加元现金，以及每1,000加元本金信用债券为1,624.49加元现金 Zarlink董事会一致建议Zarlink股东和债券持有人将其股份或债券按Microsemi增加的现金报价予以转让收购有助于Microsemi扩展通讯和医疗市场收购使Microsemi的协同增效前非公认会计准...[详细]
华为Nova 4入网工信部

日前，华为一款型号为VCE-TL00入网工信部，这款手机就是即将发布的华为nova 4手机。目前，这款手机的大部分信息我们都已经知道，华为nova 4手机也将会是华为首款采用打孔屏的手机。　　根据工信部提供的图片，华为nova 4手机正面左上方有开孔，开孔下是手机的前置摄像头。在黑色壁纸或者熄屏情况下根本察觉不到摄像头的存在。　　不过，入网照片比较奇怪的一点是，华为no...[详细]
CCD传感器与CMOS传感器区别在哪里

　　CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是“ 电老虎”的不良印象。CMOS主要问题是在处理CCD传感器快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而过热。暗电流抑制得好就问题不大，如果抑制得不好就十分容易出现杂点。 ...[详细]
提高芯片自给率，华为进军OLED驱动芯片领域

据上游供应链最新消息称，华为目前手机OLED驱动芯片处于流片阶段，今明两年华为旗舰机不一定搭载自研的OLED驱动芯片，不过他们正在加速自有产品的推进速度。按照供应链的说法，华为购置的芯片测试机台已到位，预计2020年开始量产驱动 IC，提升自给率，冲击联咏、敦泰等既有供应链。至于华为为何要入局OLED驱动芯片，除了跟加强重要芯片自给率外，还是要打造出自有产品的特色。行业人士直言...[详细]
三亚市科技工业信息化局关于开展2022年度三亚市新能源汽车换电模式应用试点建设换电补能差价补贴及提振经济增长促进新能源换电汽车消费补贴的申报通知

三亚市新能源换电车辆购车者：　　为加快三亚市换电试点城市建设，强化政策保障落实，鼓励新能源换电车辆推广，根据《三亚市统筹疫情防控和提振经济增长的实施方案》和《三亚市新能源汽车换电模式应用试点城市建设方案》相关要求，我局制定了《2022年度三亚市新能源汽车换电模式应用试点建设换电补能差价补贴及提振经济增长促进新能源换电汽车消费补贴的申报实施细则》。现将补贴资金申报及有关事项通知如下：...[详细]
汽车发动机ECU系统研发技术解析

引　言随着技术的进步，汽车的数字化程度越来越高。目前汽车电子信息产品已经平均占到汽车总成本的1/3，并且这个比率还在不断提高，有专家认为，未来10年内，这个比率将达到40%。例如像宝来这样的中档轿车至少拥有十几个汽车电子控制单元（ECU）。所谓ECU，实际上就是一部带单片机的嵌入式系统，有自己的处理器、I/O设备和存储器，能独立控制汽车的某一系统，例如发动机管理系统EMS和ABS系统...[详细]
意法半导体发布支持STM32 微控制器的 USB Type-C® Power Delivery 软件

意法半导体发布支持STM32 微控制器的 USB Type-C® Power Delivery 软件，简化可持续产品设计 2022 年 12 月 22 日，中国——意法半导体最新的 X-CUBE-TCPP软件包增强了公司的 USB Type-C® 端口保护芯片产品组合和STM32 接口IP(知识产权)，简化USB Power Delivery产品研发。 USB Power Deli...[详细]