TS27M4MJ,TS27M4MJ pdf中文资料,TS27M4MJ引脚图,TS27M4MJ电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TS27M4MJ相近的元器件有：TS27L4MJ、TS27M4AMJ、TS27M4BMJ、TS27L4BMJ、TS274MJ、TS27L4AMJ。描述及对比如下：

型号	TS27M4MJ	TS27L4MJ	TS27M4AMJ	TS27M4BMJ	TS27L4BMJ	TS274MJ	TS27L4AMJ
描述	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 3500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 3.5MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14	QUAD OP-AMP, 6500uV OFFSET-MAX, 0.1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	CERDIP-14	CERDIP-14	CERDIP-14	CERDIP-14	CERDIP-14	DIP, DIP14,.3	CERDIP-14
针数	14	14	14	14	14	14	14
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA
标称共模抑制比	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB
频率补偿	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大输入失调电压	12000 µV	12000 µV	6500 µV	3500 µV	3500 µV	12000 µV	6500 µV
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
低-偏置	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
低-失调	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
功能数量	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	14	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	4/16 V	10 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称压摆率	0.6 V/us	0.04 V/us	0.6 V/us	0.6 V/us	0.04 V/us	5.5 V/us	0.04 V/us
最大压摆率	1.2 mA	0.072 mA	1.2 mA	1.2 mA	0.072 mA	6.8 mA	0.072 mA
供电电压上限	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
标称供电电压 (Vsup)	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	1000 kHz	100 kHz	1000 kHz	1000 kHz	100 kHz	3500 kHz	100 kHz
最小电压增益	10000	40000	10000	10000	40000	6000	40000
是否无铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	-	-
微功率	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-

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配全息玻璃特斯拉全新显示屏专利曝光

日前据外媒报道，有消息曝出特斯拉申请了一项配有全息玻璃的无边框显示屏专利。据悉，该玻璃可以“减少或消除系统显示部分和非显示部分之间边界的可见性”。在2009年特斯拉推出Model S(参数|询价)时，Model S(参数|询价)已经开启了“大屏时代”，利用中控屏代替了大部分物理按键；不可否认，这在汽车行业掀起了一波浪潮。目前很多手机厂商推出“全面屏”手机，根据特斯拉的专利申请显示，...[详细]
基于S3C6410的ARM11学习（三）核心初始化之设置中断向量表

前面将流程搞清楚后，下面就开始进行按照顺序来编写程序了。第一步就是进行中断向量表的设置。在ARM11中，中断向量表叫做异常向量表。 ARM11共有10种异常，这个在ARM11的datasheet中有。这里说明一下：异常说明详细说明 Reset 复位异常当系统刚上电，或者按下复位键时候，触发这个异常，这个时候，程序跳...[详细]
便携式产品低功耗电路设计的综合考虑

集成电路和计算机系统的发展对低功耗的要求越来越高。本文探讨了低功率电路和系统的发展趋势，分析了功耗产生的主要原因以及与成本的关系，并提出了几种实现低功率的方案。越来越复杂。为了适应这一变化，设计师需要在主要设计参数表中考虑功耗的要求。低功率逻辑电路的标准被定义为每一级门电路功耗小于1.3uW/MHz，而在模拟电路中被定义为小于5mW。最终用户认为，低功率系统应该满足低功耗的要求。对于...[详细]
韦尔自动化连续第八年企业平等指数考核中获得高分

罗克韦尔自动化在人权运动基金会第 18 届 LBGTQ+ 群体工作场所平等性年度考核中获得满分罗克韦尔自动化公司 (NYSE: ROK) 近日宣布其在 2020 年度企业平等指数 (CEI) 考核中获得满分，该指数是由人权运动基金会 (Human Rights Campaign Foundation) 发起的美国国家基准调查和报告，旨在评估工作场所内 LGBTQ+ 群体平等性相关的企业政策和...[详细]
四种思路四大光伏逆变器并网方式

在中国，目前使用最广泛的光伏发电系统是直流系统，它有成本低、结构简单的优点，不过兼容性低下的缺点也同样突出。光伏逆变器的并网运行是光伏发电系统的一个重要技术课题，并网方式有很多，当然难以分出个高低。不过，还是很有必要来简单介绍一下各种方法，准确说是这些方法的根本思路。经过讨论，我们整理出了四种主要观点：第一种：光伏逆变器并网是电压和电流同时并入电压和电流同时并了，THD值要求小于5%，...[详细]
3GB内存+指纹识别中国移动添新机入网

近年来手机行业中有不少新品牌出现，比如说中国移动就一直在做自家手机品牌，目前中国移动的手机产品多以入门产品为主，今日工信部网站上就出现了一款移动新机，并已获得入网许可。中国移动新机入网证件照（图片引自tenaa）　　根据工信部提供资料显示，该机的型号为M836，入网证号是152.6×76.2×8.1mm，重160g，提供金、银两种配色，支持GSM、CDMA、TD-SCDMA、...[详细]
Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件

Nexperia面向USB4标准接口推出极低钳位的双向ESD保护器件 TrEOS二极管为更强劲的USB4TM数据传输提供行业领先的插入损耗和回波损耗特性奈梅亨，2021年10月21日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件，即具有极低钳位和电容的双向静电放电(ESD)保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅...[详细]
锂离子电池全球排行榜：LG化学居首 2026年市场体量将突破231亿美元

　　这份竞争力格局报告主要从12个标准来评估锂离子电池行业的主流玩家，包括：视野、进入市场策略、伙伴、生产策略、技术、地理范围、销售、营销与分销、产品性能、产品质量和可靠性、产品份额、价格、持续增长潜力。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。锂离子电池全球排行榜：LG化学居首 2026年市场体量将突破231亿美元　　该榜单评估了10个主要锂离子电池制造商的战...[详细]
微软历年投资回顾：1.5亿美元注资遭逆袭

北京时间5月9日消息，据国外媒体报道，科技博客Business Insider作者马特·罗瑟夫（Matt Rosoff）周二撰文，对微软历年来的资本投资进行了总结。微软的绝大多数投资均以失败收场，但其中不乏一些亮点。微软在2008年对社交网站Facebook 2.4亿美元的投资，无疑是微软最为成功的资本投资。微软上周宣布向美国最大图书零售商巴诺（Barnes & Noble）旗下Nook和大...[详细]
指针变量，位带指针，LSB最低有效位······

1指针变量及例子前面文章【 STM32位带操作】牵涉到的一个重要知识点就是指针变量。这种位带映射操作，就是操作映射过后的地址，其实就是操作指针变量。指针变量：指存放地址的变量。指针变量是一种特殊的变量，它不同于一般的变量，一般变量存放的是数据本身，而指针变量存放的是数据的地址。《摘自百度百科【指针变量】》指针变量的例子 int main(void) { uint32...[详细]
MSP432E4系列编码器(QEI模块)速度换算

换算公式如下 rpm = (clock × 2^{VELDIV} × SPEED × 60) / (LOAD × ppr × edges) 其中： rpm：电机转速 clock：时钟频率 VELDIV：时钟分频系数 SPEED：读到的电机速度 LOAD：每一次测速定时器的计数值 ppr：编码器每转产生的脉冲数 e...[详细]
浙江武义征求意见：明确储能消防验收要求和设计审查流程

　　近日，浙江金华市武义县发展和改革局公开征求《武义县电化学储能项目建设管理工作指南(试行)》(下称“工作指南”)意见。　　工作指南明确，电化学储能电站项目实行属地备案管理，其中电源侧、电网侧以及额定功率5兆瓦及以上的用户侧电化学储能项目，需纳入省级发展规划或年度建设计划后再执行备案流程。　　对于新建、扩建或改建的功率为500千瓦及以上的电化学储能电站，设计图纸应通过“浙...[详细]
江丰电子：订单饱和，整体产能处于高位

近日，江丰电子在接受机构调研时表示，报告期内公司销售收入保持持续增长，因此原材料采购量也相应增加。此外，公司在部分原材料价格相对较低时备货量有所增加。在高纯溅射靶材行业中，公司的竞争对手主要是美国和日本的跨国公司，日矿金属、霍尼韦尔等为行业传统的供应商。同时，公司也视超越自身为目标，将努力提升核心竞争力，创造出更好的成绩，引领行业发展。受益于市场需求强劲，江丰电子订单饱和，整体产能处于高位...[详细]
全新的PowerWise麦克风阵列放大器

美国国家半导体公司宣布推出一款采用远场噪声抑制技术的全新音频产品 ----PowerWise LMV1088 。远场噪声抑制技术可以减少输出频率失真及其他音频假信号，令传送的声音更自然、更真实。以音效来说，一般基于数字信号处理器或微处理器搭配软件的音频系统，采用子频带频率处理算法抑制噪声，其抑制效果大大逊色于远场噪声抑制技术。 PowerWise LMV1088 ...[详细]
全球一级储能厂商派能科技登榜BNEF Tier 1

　　上海2024年10月24日 /美通社/ -- 10月23日，全球知名研究机构彭博新能源财经（BloombergNEF，简称"BNEF") 公布2024年第四季度全球一级储能厂商榜单 Tier 1 。派能科技（股票代码：688063）从全球众多储能企业中脱颖而出，凭借其卓越的综合实力，获评BNEF Tier 1全球一级储能厂商。　　BNEF 是全...[详细]