首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

UFMMT555

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Diodes

厂商官网:http://www.diodes.com/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Diodes
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
1 A
集电极-发射极最大电压
150 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
50
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
参数对比
与UFMMT555相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 UFMMT555
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Diodes
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 150 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
需要登录后才可以下载。
登录取消