首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

UPA1750G

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Renesas(瑞萨电子)

厂商官网:https://www.renesas.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Renesas(瑞萨电子)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
配置
Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.5 A
最大漏极电流 (ID)
3.5 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量
1
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2 W
表面贴装
YES
参数对比
与UPA1750G相近的元器件有:UPA1758G-A、UPA1750G-A。描述及对比如下:
型号 UPA1750G UPA1758G-A UPA1750G-A
描述 TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO 3.5A, 20V, 0.18ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8 TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
配置 Single SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.5 A 6 A 3.5 A
最大漏极电流 (ID) 3.5 A 3.5 A 3.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量 1 2 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 1.7 W 2 W
表面贴装 YES YES YES
ECCN代码 - EAR99 EAR99
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消