V54C3256804VT8PC,V54C3256804VT8PC pdf中文资料,V54C3256804VT8PC引脚图,V54C3256804VT8PC电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Mosel Vitelic Corporation ( MVC )

包装说明

TSOP, TSOP54,.46,32

Reach Compliance Code

unknown

最长访问时间

6 ns

最大时钟频率 (fCLK)

125 MHz

I/O 类型

COMMON

交错的突发长度

1,2,4,8

JESD-30 代码

R-PDSO-G54

JESD-609代码

内存密度

268435456 bit

内存集成电路类型

SYNCHRONOUS DRAM

内存宽度

端子数量

字数

33554432 words

字数代码

32000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

32MX8

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSOP

封装等效代码

TSOP54,.46,32

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

电源

3.3 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

8192

连续突发长度

1,2,4,8,FP

最大待机电流

0.002 A

最大压摆率

0.17 mA

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子节距

0.8 mm

端子位置

DUAL

Base Number Matches

参数对比

与V54C3256804VT8PC相近的元器件有：V54C3256804VT8、V54C3256804VT75、V54C3256804V-8PC、V54C3256804V-8、V54C3256804V-75。描述及对比如下：

型号	V54C3256804VT8PC	V54C3256804VT8	V54C3256804VT75	V54C3256804V-8PC	V54C3256804V-8	V54C3256804V-75
描述	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
厂商名称	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
包装说明	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	6 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	6 ns	5.4 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
端子数量	54	54	54	54	54	54
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX8	32MX8	32MX8	32MX8	32MX8	32MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-