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V54C3256804VT8

Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mosel Vitelic Corporation ( MVC )

厂商官网:http://www.moselvitelic.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
包装说明
TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
6 ns
最大时钟频率 (fCLK)
125 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G54
JESD-609代码
e0
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
8
端子数量
54
字数
33554432 words
字数代码
32000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP54,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.002 A
最大压摆率
0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
参数对比
与V54C3256804VT8相近的元器件有:V54C3256804VT75、V54C3256804VT8PC、V54C3256804V-8PC、V54C3256804V-8、V54C3256804V-75。描述及对比如下:
型号 V54C3256804VT8 V54C3256804VT75 V54C3256804VT8PC V54C3256804V-8PC V54C3256804V-8 V54C3256804V-75
描述 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
厂商名称 Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
包装说明 TSOP, TSOP54,.46,32 TSOP, TSOP54,.46,32 TSOP, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP2, TSOP2,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 6 ns 5.4 ns 6 ns 6 ns 6 ns 5.4 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
端子数量 54 54 54 54 54 54
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP TSOP TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 - -
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