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VN50300L18

33mA, 500V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Vishay(威世)
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
unknown
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
0.033 A
最大漏源导通电阻
300 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
5 pF
JEDEC-95代码
TO-226AA
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
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参数对比
与VN50300L18相近的元器件有:VN50300L18-1、VN50300L-2TR1、VN50300L-1TA、VN50300LTR1、VN50300L-1TR1、VN50300L18-2、VN50300L-2TA。描述及对比如下:
型号 VN50300L18 VN50300L18-1 VN50300L-2TR1 VN50300L-1TA VN50300LTR1 VN50300L-1TR1 VN50300L18-2 VN50300L-2TA
描述 33mA, 500V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.033A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.033A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.033A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.033A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.033A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.033A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.033A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 0.033 A 0.033 A 0.033 A 0.033 A 0.033 A 0.033 A 0.033 A 0.033 A
最大漏源导通电阻 300 Ω 300 Ω 300 Ω 300 Ω 300 Ω 300 Ω 300 Ω 300 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF
JEDEC-95代码 TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
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