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ZVN2120A

MOSFET N-Chnl 200V

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Diodes Incorporated

器件标准:

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器件:ZVN2120A

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-92
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.18 A
最大漏极电流 (ID)
0.18 A
最大漏源导通电阻
10 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
7 pF
JESD-30 代码
O-PBCY-W3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.7 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
MATTE TIN
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与ZVN2120A相近的元器件有:ZVN2120ASTZ。描述及对比如下:
型号 ZVN2120A ZVN2120ASTZ
描述 MOSFET N-Chnl 200V MOSFET N-Chnl 200V
零件包装代码 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 0.18 A 0.18 A
最大漏源导通电阻 10 Ω 10 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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