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2A200HB12C2F

Insulated Gate Bipolar Transistor,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
Objectid
8317368041
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
YTEOL
5.38
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
294 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值
6.4 V
门极-发射极最大电压
20 V
JESD-30 代码
R-XUFM-X7
元件数量
2
端子数量
7
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
1100 W
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
480 ns
标称接通时间 (ton)
180 ns
VCEsat-Max
2.25 V
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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