首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

2N3794

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92VAR, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Space Power Electronics Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Space Power Electronics Inc
零件包装代码
TO-92
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
集电极-发射极最大电压
20 V
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
100
JESD-30 代码
O-PBCY-W3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
125 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.25 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
LOW-POWER SILICON PNP
Item
Number
Part Number
Manufacturer
V(BR)CEO
hFE
(V)
Ie
Max
(A)
fT
(Hz)
C
obo
Max
(F)
leBO
Max
(A)
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(V)
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Max
(W)
Derate
at
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Toper
Max
eC)
Package
Style
V(BR)CEO
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>=
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See Index
Motorola
See Index
See Index
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Genrl Diode
Diode Trails
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参数对比
与2N3794相近的元器件有:2N2945、2N2945A、2N3677。描述及对比如下:
型号 2N3794 2N2945 2N2945A 2N3677
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92VAR, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Space Power Electronics Inc Space Power Electronics Inc Space Power Electronics Inc Space Power Electronics Inc
零件包装代码 TO-92 TO-46 TO-46 TO-46
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-XBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V
配置 Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 70 4
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-XBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 125 °C 200 °C 200 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
JEDEC-95代码 - TO-46 TO-46 TO-46
标称过渡频率 (fT) - 10 MHz 10 MHz 5 MHz
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