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2N6660

Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, TO-39, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Thales Group

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器件:2N6660

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器件参数
参数名称
属性值
零件包装代码
TO-39
包装说明
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏源导通电阻
3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-39
JESD-30 代码
O-MBCY-W3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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参数对比
与2N6660相近的元器件有:2N6659。描述及对比如下:
型号 2N6660 2N6659
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 35V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, TO-39, 3 PIN
零件包装代码 TO-39 TO-39
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
最小漏源击穿电压 60 V 35 V
最大漏源导通电阻 3 Ω 1.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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