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2SA1530-12-1T

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
390
JEDEC-95代码
TO-236
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
PNP
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
200 MHz
Base Number Matches
1
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参数对比
与2SA1530-12-1T相近的元器件有:2SA1530-T12-1T、2SA1530-T12-1S、2SA1530-T12-1Q、2SA1530-12-1S、2SA1530-T12-1R、2SA1530-12-1R、2SA1530-12-1Q。描述及对比如下:
型号 2SA1530-12-1T 2SA1530-T12-1T 2SA1530-T12-1S 2SA1530-T12-1Q 2SA1530-12-1S 2SA1530-T12-1R 2SA1530-12-1R 2SA1530-12-1Q
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 390 390 270 120 270 180 180 120
JEDEC-95代码 TO-236 TO-236 TO-236 TO-236 TO-236 TO-236 TO-236 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
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