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2SA1727F5TLNQ

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：ROHM(罗姆半导体)

厂商官网：https://www.rohm.com/

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
集电极-发射极最大电压
400 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
56
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
PNP
功耗环境最大值
10 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
TIN COPPER
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
10
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
12 MHz
VCEsat-Max
1 V
Base Number Matches
1
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参数对比
与2SA1727F5TLNQ相近的元器件有：2SA1727F5TLP、2SA1727F5TLN、2SA1727F5TLNP、2SA1727F5TLQ、2SA1727F5TLPQ。描述及对比如下：
型号 2SA1727F5TLNQ 2SA1727F5TLP 2SA1727F5TLN 2SA1727F5TLNP 2SA1727F5TLQ 2SA1727F5TLPQ
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 56 82 56 56 120 82
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
功耗环境最大值 10 W 10 W 10 W 10 W 10 W 10 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 12 MHz 12 MHz 12 MHz 12 MHz 12 MHz 12 MHz
VCEsat-Max 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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器件捷径:
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