5962R9676601VYX,5962R9676601VYX pdf中文资料,5962R9676601VYX引脚图,5962R9676601VYX电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Data Sheet

August 2000

File Number

3039.2

Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM

The HS-81C55/56RH are radiation hardened RAM and I/O

chips fabricated using the Intersil radiation hardened Self-

Aligned Junction Isolated (SAJI) silicon gate technology.

Latch-up free operation is achieved by the use of epitaxial

starting material to eliminate the parasitic SCR effect seen in

conventional bulk CMOS devices.

The HS-81C55/56RH is intended for use with the

HS-80C85RH radiation hardened microprocessor system.

The RAM portion is designed as 2048 static cells organized

as 256 x 8. A maximum post irradiation access time of

500ns allows the HS-81C55/56RH to be used with the

HS-80C85RH CPU without any wait states. The

HS-81C55RH requires an active low chip enable while the

HS-81C56RH requires an active high chip enable. These

chips are designed for operation utilizing a single 5V power

supply.

Speciﬁcations for Rad Hard QML devices are controlled

by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The

SMD numbers listed here must be used when ordering.

Detailed Electrical Speciﬁcations for these devices are

contained in SMD 5962-96766. A “hot-link” is provided

on our homepage for downloading.

http://www.intersil.com/spacedefense/space.asp

Features

• Electrically Screened to SMD # 5962-96766

• QML Qualiﬁed per MIL-PRF-38535 Requirements

• Radiation Hardened EPI-CMOS

- Total Dose. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 krad(Si) (Max)

- Transient Upset . . . . . . . . . . . . . . . . . .>1 x 10

rad(Si)/s

- Latch-Up Free . . . . . . . . . . . . . . . . . . >1 x 10

rad(Si)/s

• Electrically Equivalent to Sandia SA 3001

• Pin Compatible with Intel 8155/56

• Bus Compatible with HS-80C85RH

• Single 5V Power Supply

• Low Standby Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .200µA Max

• Low Operating Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mA/MHz

• Completely Static Design

• Internal Address Latches

• Two Programmable 8-Bit I/O Ports

• One Programmable 6-Bit I/O Port

• Programmable 14-Bit Binary Counter/Timer

• Multiplexed Address and Data Bus

• Self Aligned Junction Isolated (SAJI) Process

• Military Temperature Range . . . . . . . . . . . -55

C to 125

Ordering Information

ORDERING NUMBER

5962R9676601QXC

5962R9676601QYC

5962R9676601VXC

5962R9676601VYC

5962R9676602QXC

5962R9676602QYC

5962R9676602VXC

5962R9676602VYC

INTERNAL

MKT. NUMBER

HS1-81C55RH-8

HS9-81C55RH-8

HS1-81C55RH-Q

HS9-81C55RH-Q

HS1-81C56RH-8

HS9-81C56RH-8

HS1-81C56RH-Q

HS9-81C56RH-Q

TEMP. RANGE

(

-55 to 125

Functional Diagram

IO/M

AD0 - AD7

CE OR CE

†

ALE

RESET

TIMER CLK

TIMER OUT

TIMER

PORT C

PC0 - PC5

VDD (10V)

GND

256 x 8

STATIC

RAM

PORT A

PA0 - PA7

PORT B

PB0 - PB7

†

81C55RH = CE

81C56RH = CE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 321-724-7143

Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation.

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Pinouts

40 LEAD DUAL-IN-LINE METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)

MIL-STD-1835 CDIP2-T40

TOP VIEW

PC3

PC4

TIMER IN

RESET

PC5

TIMER OUT

IO / M

CE or CE

†

40 VDD

39 PC2

38 PC1

37 PC0

36 PB7

35 PB6

34 PB5

33 PB4

32 PB3

31 PB2

30 PB1

29 PB0

28 PA7

27 PA6

26 PA5

25 PA4

24 PA3

23 PA2

22 PA1

21 PA0

PC3

PC4

TIMER IN

RESET

PC5

TIMER OUT

IO/M

CE OR CE

ALE

AD0

AD1

AD2

AD3

AD4

AD5

AD6

AD7

GND

VDD

PC2

PC1

PC0

PB7

PB6

PB5

PB4

PB3

PB2

PB1

PB0

PA7

PA6

PA5

PA4

PA3

PA2

PA1

PA0

42 LEAD CERAMIC METAL SEAL FLATPACK PACKAGE

INTERSIL OUTLINE K42.A

TOP VIEW

RD 9

WR 10

ALE 11

AD0 12

AD1 13

AD2 14

AD3 15

AD4 16

AD5 17

AD6 18

AD7 19

GND 20

†

81C55RH = CE

81C56RH = CE

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Pin Descriptions

SYMBOL

RESET

TYPE

NAME AND FUNCTION

Reset:

Pulse provided by the HS-80C85RH to initialize the system (connect to HS-80C85RH RESET OUT).

Input high on this line resets the chip and initializes the three I/O ports to input mode. The width of RESET

pulse should typically be two HS-80C85RH clock cycle times.

Address/Data:

Three-state Address/Data lines that interface with the CPU lower 8-bit Address/Data Bus. The

8-bit address is latched into the address latch inside the HS-81C55 and HS-81C56RH on the falling edge of

ALE. The address can be either for the memory section or the I/O section depending on the IO/M input. The

8-bit data is either written into the chip or read from the chip, depending on the WR or RD input signal.

Chip Enable:

On the HS-81C55RH, this pin is CE and is ACTIVE LOW. On the HS-81C56RH, this pin is CE

and is ACTIVE HIGH.

Read Control:

Input low on this line with the Chip Enable active enables and AD0 - AD7 buffers. If IO/M pin

is low, the RAM content will be read out to the AD bus. Otherwise the content of the selected I/O port or

command/status registers will be read to the AD bus.

Write Control:

Input low on this line with the Chip Enable active causes the data on the Address/Data bus to

be written to the RAM or I/O ports and command/status register, depending on IO/M.

Address Latch Enable:

This control signal latches both the address on the AD0 - AD7 lines and the state of

the Chip Enable and IO/M into the chip at the falling edge of ALE.

I/O Memory:

Selects memory if low and I/O and command/status registers if high.

Port A:

These 8 pins are general purpose I/O pins. The in/out direction is selected by programming the

command register.

Port B:

These 8 pins are general purpose I/O pins. The in/out direction is selected by programming the

command register.

Port C:

These 6 pins can function as either input port, output port, or as control signals for PA and PB.

Programming is done through the command register. When PC0 - PC5 are used as control signals, they will

provide the following:

PC0 - A INTR (Port A Interrupt)

PC1 - ABF (Port A Buffer Full)

PC2 - A STB (Port A Strobe)

PC3 - B INTR (Port B Interrupt)

PC4 - B BF (Port B Buffer Full)

PC5 - B STB (Port B Strobe)

Timer Input:

Input to the counter-timer.

Timer Output:

This output can be either a square wave or a pulse, depending on the timer mode.

Voltage:

+5V.

Ground:

Ground reference.

AD0 - AD7

I/O

CE or CE

ALE

IO/M

PA0 - PA7 (8)

PB0 - PB7 (8)

PC0 - PC7 (8)

I/O

TIMER IN

TIMER OUT

VDD

GND

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Waveforms

READ

CE (81C55RH)

CE (81C56RH)

IO/M

tAD

0-7

tAL

ALE

tLL

tLC

tCC

tRV

tRIDE

tRD

tCL

tRDF

ADDRESS

tLA

DATA VALID

WRITE

CE (81C55RH)

CE (81C56RH)

IO/M

0-7

tAL

ALE

tLL

ADDRESS

tLA

tDW

DATA VALID

tCL

tLC

tCL

tCC

tWD

tRV

HS-81C55RH, HS-81C56RH

Waveforms

(Continued)

STROBED INPUT

tSBF

STROBED

tSS

INTR

tRDI

tSI

tRBE

tPSS

INPUT DATA

FROM PORT

tPHS

STROBED OUTPUT

tSBE

STROBE

tWBF

INTR

tWI

tWP

OUTPUT DATA

TO PORT

tSI

参数对比

与5962R9676601VYX相近的元器件有：5962R9676602VYX、5962R9676602VXX、5962R9676601QXX、5962R9676601VXX、5962R9676602QYX、5962R9676602QXX、5962R9676601QYX、5962-01-363-9538。描述及对比如下：

型号	5962R9676601VYX	5962R9676602VYX	5962R9676602VXX	5962R9676601QXX	5962R9676601VXX	5962R9676602QYX	5962R9676602QXX	5962R9676601QYX	5962-01-363-9538
描述	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDIP40, CERAMIC, DIP-40	256X8 MULTI-PORT SRAM, CDFP42, FP-42	5962-01-363-9538
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	not_compliant
JESD-30 代码	R-XDFP-F42	R-XDFP-F42	R-CDIP-T40	R-CDIP-T40	R-CDIP-T40	R-XDFP-F42	R-CDIP-T40	R-XDFP-F42	R-XDIP-T40
端子数量	42	42	40	40	40	42	40	42	40
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC
封装代码	DFP	DFP	DIP	DIP	DIP	DFP	DIP	DFP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class Q	38535Q/M;38534H;883B
表面贴装	YES	YES	NO	NO	NO	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
零件包装代码	DFP	DFP	DIP	DIP	DIP	DFP	DIP	DFP	-
包装说明	DFP,	DFP,	DIP,	DIP,	DIP,	DFP,	DIP,	DFP,	-
针数	42	42	40	40	40	42	40	42	-
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	-
最长访问时间	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns	-
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	-
内存密度	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	-
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	-
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	-
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	-
字数	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	256 words	-
字数代码	256	256	256	256	256	256	256	256	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
组织	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	256X8	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	-
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-
端子面层	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	-
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	-	-	-	1.27 mm	-	1.27 mm	2.54 mm
总剂量	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	-
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	1	-

关于传递函数: 最近看电路原理分析，关于传递函数，引入指数正弦波激励分析稳态响应，最后引出了复频率S的概念。为什么...; 15272693963 综合技术交流

视觉识别与追踪: “ 在子弹出膛的一刹那，手腕急速的抖动，振动可以打出拐弯的子弹。” 还记得这句出自我国抗日神剧...; MangoTree EE_FPGA学习乐园

[TI首届低功耗设计大赛]开发板展示及编程软件资料收集: 很荣幸成为第二批通过审核的会员，前两天就收到了板子，匆匆地照了个照片就忙别的去了。今天把照片发一下，...; anning865 微控制器 MCU

新定义TBK-RD8T3x 开发评估板-测评: 最近在新定义官网申请了一块TBK-RD8T3x 开发评估板，板子自带触控按键的程序，用起来很灵敏，...; bvus 单片机

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Arduino IDE 2.0 发布: 据来自Arduino官方博客（ https://blog.arduino.cc/2022/09/1...; dcexpert DIY/开源硬件专区

LabVIEW波形分段显示

晚上不想干活，就整理电脑，发现了不少以前写的程序，打开看看很多都忘了是怎么写的了，以前程序中的注释太少了，以后要好好改进一下。接下来就贴贴自己以前写的程序，顺便更新一下博客吧。今年的天下会中，有一道题目是：一段正弦波形（最大值1，最小值-1），让其大于0.5的部分显示红色，小于-0.5的部分显示绿色，其余部分显示白色？此问题关键可以看做NaN的巧用。在...[详细]
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4月11日，盖世汽车获悉，宁德时代将在在2023上海国际车展上，发布凝聚态电池技术及零碳战略。据悉，凝聚态电池的主要优点之一，是其高能量密度。与传统的锂离子电池相比，凝聚态电池每单位体积或重量可以储存更多的能量，这使得它们非常适合需要高储能能力的电动汽车。此外，凝聚态电池还具备快速充电能力。相对于传统锂离子电池通常需要几个小时才能充满电，凝聚态电池充电速度比传统锂离子电池快得多，...[详细]
为何一般不建议在中断中喂狗？

在主程序喂狗论中,最强有的理论依据就是--- 程序跑飞了可是中断不一定会死（中断一般都有自己固定不变的中断向量地址,这样即使主程序飞,中断也能正确地跳入自己的轨道继续运行.）可如果只在主程序喂狗，由于中断被无意关断,那么主程序实际就只干傻喂狗功能,这种不工作也不死的。所以建议：最好的办法是主程序和中断相结合的方法喂狗，这个需要根据实际程序中断的特点编写相应的喂狗功能（参考方...[详细]
基于FPGA平均值原理相位差计的设计

相位差的测量在研究网络特性中具有重要作用，如何快速、精确地测量相位差已成为生产科研中的重要课题。测量相位差的方法很多，有集成电路设计的，也有采用数字信号处理(DSP)实现的，现在普遍采用电子计数式的方法。但传统的瞬时相位差计，需要用锁相环电路锁相跟踪被测信号，廉价的低端FPGA芯片无法完成，同时被测信号的频率范围也限制在低频内，为了解决上述问题，提出平均值相位差计的原理，并采用VHDL语言编程...[详细]
三星电子宣布全面退出LED业务，聚焦功率半导体和Micro LED领域

10 月 21 日消息，据央视财经报道，由于集团整体业绩未达预期，韩国三星电子最近启动了业务架构的调整，其中半导体部门决定全面退出发光二极管（LED）业务。这一决定标志着继 2020 年 LG 电子退出后，韩国两大电子企业都退出 LED 业务。此前，三星电子主要生产和销售电视、智能手机闪光灯等用途的 LED 产品。三星电子在 2012 年通过合并三星 LED 公司正式涉足 LED 照明领域...[详细]
USB 3.0应用的ESD保护设计

　　USB是通用串行总线的简称，这是目前个人计算机与其它外部设备联机使用最为广泛的一种传输接口。该接口最初由英特尔与微软公司倡导发起，其最大的特点是支持热插拔和随插即用，使用者不需要重新开机便可以直接安装或加载硬件驱动程序，使用起来比PCI和ISA总线要方便很多。　　USB 3.0接口分成主机(Host)端与设备(Device)端，必须先有主机端的支持，外围的设备端才能搭配。从芯片大厂英特尔及A...[详细]
凌华科技发布四通道2 MS/s同步采样USB接口数据采集模块

兼具高精确度与便携式的完美平衡适用于高速量测应用。 2014年10月23日，北京讯---亚洲最大的数据采集与PXI平台产品供货商——凌华科技,发布新款四通道USB 2.0接口数据采集模块—USB-1210。USB-1210支持16位分辨率及四通道同步采样，每通道提供高达2 MS/s采样率，搭配256M Samples FIFO缓存设计，可确保长时间连续执行数据采集时零数据遗失。...[详细]
砺铸智能完成B轮超亿元融资，浦东科创、韦豪创芯机构现身

近日，砺铸智能设备（天津）有限公司（下称：砺铸智能）完成B轮过亿元融资，天眼查显示，投资方由康橙投资、浦东科创、中信资本、珞珈创投、同鑫力诚、宽带智汇母基金、韦豪创芯、冯源资本共同组成。资料显示，砺铸智能由上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心、中芯海河赛达（天津）产业投资基金中心、国投京津冀科技成果转化创业投资基金、宁波中芯集成电路产业投资基金等共同投资兴建，是集研发、制造和销售于一体的中...[详细]
大陆封测龙头业绩爆表，先进封装更使行业迎来巨大分水岭

4月底，国内封测龙头长电科技、通富微电、华天科技和晶方科技公布了今年第一季度业绩，根据各家公司数据，今年以来整体封测市场仍然表现出超强的景气度。受益于集成电路国产化、智能化、人工智能、物联网、双碳经济、新能源汽车、工业控制、5G等新技术新需求的落地应用，半导体行业仍处于高景气周期，与此同时，国家政策红利会继续得到释放，在强劲的国产化需求以及全球新技术革新的推动下，国内封测企业即将迎来更为有利的发...[详细]
LM331在AD转换电路中的应用

引言: 数据的采集与处理广泛地应用在自动化领域中,由于应用的场合不同,对数据采集与处理所要求的硬件也不相同.在控制过程中,有时要对几个模拟信号进行采集与处理,这些信号的采集与处理对速度要求不太高,一般采用AD574或ADC0809等芯片组成的A/D转换电路来实现信号的采集与模数转换，而AD574和ADC0809等A/D转换器价格较贵，线路复杂,从而提高了产品价格和项目的费用.在本文中,从实际应...[详细]
LNK403-409EG设计的带TRIAC调光LED驱动技术

本文首先介绍了LNK403-409EG主要特性，功能方框图，以及TRIAC调光和无调光的LED驱动电路图。接着介绍了采用LNK403-409EG的15W TRIAC调光单级PFC LED驱动器参考设计技术指标，电路图和材料清单与变压器电路图。 LinkSwitch-PH 系列LNK403-409EG是Powerint 公司的集成了725V功率MOSFET，连续模式PWM控制器，用于自偏压的高...[详细]
模拟信号与数字信号

一、模拟信号　　模拟信号是一种不仅再时间上连续、数值上也连续的物理量，具有无穷多的数值，其数学表达是必较复杂，比如正弦函数、指数函数等。　　从自然界感知的大部分物理量都是模拟性质的，如速度、压力、温度、声音、重量以及位置等都是最常见的物理量。　　图1.1.1 是几种常见的模拟信号波形　　正弦波：例如我们最经常接触到的声波。可能你有机会用一台示波器察看一个真实的声音波形，你将发现...[详细]
ST发布2020年可持续发展报告

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)发布了2020年可持续发展报告。第23版报告包含意法半导体2019年可持续发展绩效的详情和亮点，并提出了与联合国全球契约十项原则和可持续发展目标一致的公司2025年可持续发展愿景和长远目标。 “可持续发展是ST价值主张的三大要素之一，它已经深深地植根于我...[详细]
东芝闪存业务备受追捧富士康到日本买技术胜算不大

　　关于东芝闪存业务的买家和竞价消息仍在持续流出，市场都在密切关注这个百年老店的“金蛋”会落入谁家。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　闪存是如今包括手机、笔记本电脑、平板电脑等便携式移动设备必不可少的组件。以集邦咨询2016年第三季度NAND闪存市场的数据为参考，东芝闪存芯片以19.8%的市场份额仅次于三星电子的36.6%，市场地位不容小觑。且闪存芯片自去年以来出现了...[详细]
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