71P71604S200BQ,71P71604S200BQ pdf中文资料,71P71604S200BQ引脚图,71P71604S200BQ电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

Brand Name

Integrated Device Technology

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

IDT (Integrated Device Technology)

零件包装代码

CABGA

包装说明

TBGA, BGA165,11X15,40

针数

165

制造商包装代码

BQ165

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

3A991.B.2.A

最长访问时间

0.45 ns

其他特性

PIPELINED ARCHITECTURE

最大时钟频率 (fCLK)

200 MHz

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PBGA-B165

JESD-609代码

长度

15 mm

内存密度

18874368 bit

内存集成电路类型

DDR SRAM

内存宽度

湿度敏感等级

功能数量

端子数量

165

字数

524288 words

字数代码

512000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

512KX36

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TBGA

封装等效代码

BGA165,11X15,40

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, THIN PROFILE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

225

电源

1.5/1.8,1.8 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.2 mm

最大待机电流

0.3 A

最小待机电流

1.7 V

最大压摆率

0.7 mA

最大供电电压 (Vsup)

1.9 V

最小供电电压 (Vsup)

1.7 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn63Pb37)

端子形式

BALL

端子节距

1 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

宽度

13 mm

参数对比

与71P71604S200BQ相近的元器件有：71P71804S167BQ、71P71804S167BQG、71P71604S167BQ、71P71804S250BQ、71P71804S250BQG、71P71804S200BQG、71P71604S250BQ、71P71804S200BQ。描述及对比如下：

型号	71P71604S200BQ	71P71804S167BQ	71P71804S167BQG	71P71604S167BQ	71P71804S250BQ	71P71804S250BQG	71P71804S200BQG	71P71604S250BQ	71P71804S200BQ
描述	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合	符合	不符合	不符合
零件包装代码	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-165	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-165	TBGA, BGA165,11X15,40	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数	165	165	165	165	165	165	165	165	165
制造商包装代码	BQ165	BQ165	BQG165	BQ165	BQ165	BQG165	BQG165	BQ165	BQ165
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	unknown	not_compliant	not_compliant	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991	3A991	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991	3A991.B.2.A	3A991
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)
最长访问时间	0.45 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns	-	0.5 ns	0.5 ns	-	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	167 MHz	167 MHz	167 MHz	-	250 MHz	200 MHz	-	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	-	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	-	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	-	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e0	e1	e0	-	e1	e1	-	e0
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	-	15 mm	15 mm	-	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	-	18874368 bit	18874368 bit	-	18874368 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	-	DDR SRAM	DDR SRAM	-	DDR SRAM
内存宽度	36	18	18	36	-	18	18	-	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	-	3	3	-	3
功能数量	1	1	1	1	-	1	1	-	1
端子数量	165	165	165	165	-	165	165	-	165
字数	524288 words	1048576 words	1048576 words	524288 words	-	1048576 words	1048576 words	-	1048576 words
字数代码	512000	1000000	1000000	512000	-	1000000	1000000	-	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	-	70 °C
组织	512KX36	1MX18	1MX18	512KX36	-	1MX18	1MX18	-	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	-	TBGA	TBGA	-	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	260	225	-	260	260	-	225
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	-	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	-	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm
最大待机电流	0.3 A	0.275 A	0.275 A	0.275 A	-	0.325 A	0.3 A	-	0.3 A
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V
最大压摆率	0.7 mA	0.475 mA	0.65 mA	0.6 mA	-	0.85 mA	0.75 mA	-	0.55 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-	1.9 V	1.9 V	-	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL	-	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm	-	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	NOT SPECIFIED	20	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	20
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	-	13 mm	13 mm	-	13 mm
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	1	1