首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

APTGT20H60T1G

IGBT Modules Power Module - IGBT

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

器件标准:

下载文档
APTGT20H60T1G 在线购买

供应商:

器件:APTGT20H60T1G

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Microsemi
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12
针数
12
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
32 A
集电极-发射极最大电压
600 V
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压
20 V
JESD-30 代码
R-XUFM-T12
JESD-609代码
e1
湿度敏感等级
1
元件数量
4
端子数量
12
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
62 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
310 ns
标称接通时间 (ton)
170 ns
VCEsat-Max
1.9 V
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消