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AUIRF1404STRL

MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件:AUIRF1404STRL

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)
519 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
最大漏极电流 (ID)
75 A
最大漏源导通电阻
0.004 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-263AB
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
650 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与AUIRF1404STRL相近的元器件有:AUIRF1404S、AUIRF1404STRR。描述及对比如下:
型号 AUIRF1404STRL AUIRF1404S AUIRF1404STRR
描述 MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 519 mJ 519 mJ 519 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V 40 V 40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.004 Ω 0.004 Ω 0.004 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W 200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 650 A 650 A 650 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌)
Factory Lead Time 16 weeks 16 weeks -
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