BAV101112

DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：NXP(恩智浦)

厂商官网：https://www.nxp.com

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器件参数

参数名称

属性值

包装说明

O-LELF-R2

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

外壳连接

ISOLATED

配置

SINGLE

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

1.25 V

JESD-30 代码

O-LELF-R2

最大非重复峰值正向电流

9 A

元件数量

端子数量

最高工作温度

175 °C

最大输出电流

0.25 A

封装主体材料

GLASS

封装形状

ROUND

封装形式

LONG FORM

最大功率耗散

0.4 W

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

120 V

最大反向电流

0.1 µA

最大反向恢复时间

0.05 µs

表面贴装

YES

端子形式

WRAP AROUND

端子位置

END

Base Number Matches

参数对比

与BAV101112相近的元器件有：BAV100112、BAV103112、BAV102112。描述及对比如下：

型号	BAV101112	BAV100112	BAV103112	BAV102112
描述	DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
包装说明	O-LELF-R2	O-LELF-R2	O-LELF-R2	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.25 V	1.25 V	1.25 V	1.25 V
JESD-30 代码	O-LELF-R2	O-LELF-R2	O-LELF-R2	O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流	9 A	9 A	9 A	9 A
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最大输出电流	0.25 A	0.25 A	0.25 A	0.25 A
封装主体材料	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大功率耗散	0.4 W	0.4 W	0.4 W	0.4 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	120 V	60 V	250 V	200 V
最大反向电流	0.1 µA	0.1 µA	0.1 µA	0.1 µA
最大反向恢复时间	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	WRAP AROUND	WRAP AROUND	WRAP AROUND	WRAP AROUND
端子位置	END	END	END	END
Base Number Matches	1	1	1	-