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BD537J

Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Inchange Semiconductor

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供应商:

器件:BD537J

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Inchange Semiconductor
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
unknown
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
8 A
集电极-发射极最大电压
80 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
15
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
50 W
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
12 MHz
VCEsat-Max
0.8 V
文档预览
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
BD533/535/537
DESCRIPTION
・With
TO-220C package
・Complement
to type BD534/536/538
・Low
saturation voltage
APPLICATIONS
・For
medium power linear and
switching applications
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Collector;connected to
mounting base
Emitter
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings (Ta=25
)
SYMBOL
PARAMETER
固电
IN
导½
BD533
V
CBO
Collector-base voltage
ANG
CH
BD535
BD537
BD533
BD535
BD537
MIC
E SE
Open emitter
Open base
CONDITIONS
OR
UCT
ND
O
VALUE
45
60
80
45
60
80
UNIT
V
V
CEO
Collector-emitter voltage
V
V
EBO
I
C
I
E
I
B
P
C
T
j
T
stg
Emitter-base voltage
Collector current
Emitter current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Open collector
5
8
8
1
V
A
A
A
W
T
C
=25℃
50
150
-65~150
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
BD533/535/537
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
PARAMETER
Collector-emitter saturation voltage
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter on voltage
BD533
I
CBO
Collector cut-off current
BD535
BD537
BD533
I
CES
Collector cut-off current
BD535
BD537
I
EBO
Emitter cut-off current
CONDITIONS
I
C
=2 A;I
B
=0.2 A
I
C
=6 A;I
B
=0.6 A
I
C
=2A ; V
CE
=2V
V
CB
=45V; I
E
=0
V
CB
=60V; I
E
=0
V
CB
=80V; I
E
=0
V
CE
=45V; V
BE
=0
V
CE
=60V; V
BE
=0
V
CE
=80V; V
BE
=0
V
EB
=5V; I
C
=0
0.1
mA
0.1
mA
0.8
1.5
MIN
TYP.
MAX
0.8
UNIT
V
V
V
h
FE-1
固电
DC current gain
导½
BD533/535
I
C
=10mA ; V
CE
=5V
BD537
h
FE-2
DC current gain
DC current gain
(All device)
h
FE-3
h
FE-4
DC current gain
(All device)
HA
INC
ES
NG
Group: J
Group: K
Group: J
Group: K
I
C
=0.5A ; V
CE
=2V
I
C
=2A ; V
CE
=2V
MIC
E
OR
UCT
ND
O
20
15
40
30
40
15
75
100
1
mA
I
C
=3A ; V
CE
=2V
20
I
C
=0.5A ; V
CE
=1V
3
12
MHz
f
T
Transition frequency
2
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
PACKAGE OUTLINE
BD533/535/537
固电
IN
导½
MIC
E SE
ANG
CH
OR
UCT
ND
O
Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm)
3
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参数对比
与BD537J相近的元器件有:BD533K、BD537K。描述及对比如下:
型号 BD537J BD533K BD537K
描述 Transistor Transistor Transistor
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 , FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
厂商名称 Inchange Semiconductor - Inchange Semiconductor
外壳连接 COLLECTOR - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A - 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V - 80 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 - 20
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 50 W - 50 W
表面贴装 NO - NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 12 MHz - 12 MHz
VCEsat-Max 0.8 V - 0.8 V
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