BLF246B,BLF246B pdf中文资料,BLF246B引脚图,BLF246B电路-Datasheet-电子工程世界

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PHILIPS VDMOS RF-POWER TRANSISTORS

CROSS REFERENCE LIST

PHILIPS VDMOS vs MOTOROLA TMOS TRANSISTORS

(V)

12.5

(MHz)

500

400

500

960

500

225

175

225

108

225

175

225

108

(W)

150

100

150

100

150

300

250

300

200

300

200

150

600

150

(dB)

>10

8.8 typ

12 typ

14 typ

10 typ

>11

14, 17 typ

>11

7 typ

13.5

>13

>10

>12

>14, 16 typ

>20

18 typ

13 typ

>10

14 typ

>20

19 typ

21 typ

17 typ

(%)

(at P

)

>50

55 typ

60 typ

50 typ

55 typ

>50

50, 60 typ

>50

50 typ

>50

55 typ

>50

55 typ

>55

>50, 55 typ

>60

80 typ

55 typ

>55

65 typ

>35

70 typ

45 typ

Impedance data

Input / Load

Avail.

Different Package

Almost identical package

Philips Type

UHF

BLF548

Motorola Type

MRF275G

MRF275L

MRF177

MRF176GU

MRF175LU

MRF175GU

Operation

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-C

Class-AB

Class-B

Class-AB

Package

SOT262A2

375-04, STYLE 2

333-04, STYLE 2

744A-01, STYLE 1

375-04, STYLE 2

333-04, STYLE 1

375-04, STYLE 2

SOT268A

412-01, STYLE 1

SOT171A

319-07, STYLE 3

SOT171A

249-06, STYLE 3

SOT409A

SOT172D

305A-01, STYLE 2

SOT262A1

375-04, STYLE 2

SOT262A1

375-04, STYLE 2

SOT262A1

375-04, STYLE 2

SOT121B

368-03, STYLE 2

211-11, STYLE 2

Comments

Different Package

Different Supply Voltage

Different Package

BLF546

MRF166W

BLF544

MRF166C

BLF542

MRF160

BLF404

BLF521

MRF158

VHF

BLF368

MRF141G

BLF278

MRF176GV

MRF151G

BLF248

MRF175GV

BLF177

MRF157

MRF154

MRF151

MRF150

Different Package

Almost identical package , Different Supply Voltage

Different Supply Voltage

SEMICONDUCTORS NIJMEGEN

VERSION 1.1

PHILIPS VDMOS RF-POWER TRANSISTORS

CROSS REFERENCE LIST

PHILIPS VDMOS vs MOTOROLA TMOS TRANSISTORS

(V)

12.5

(MHz)

108

150

108

150

175

225

150

175

150

175

150

108

175

150

175

150

500

175

150

175

(W)

150

125

150

>24, 30 typ

(dB)

>17

14 typ

18, 22 typ

>16

11, 13 typ

13 typ

>14

>14, 16.5 typ

13 typ

>14

14 typ

>13

24 typ

20 typ

>24

18 typ

>13

16 typ

>13

>10

20 typ

>13

>10

(%)

(at P

)

>35

70 typ

>55

55, 60 typ

65 typ

>55

65 typ

>55

54 typ

>50

60 typ

40 typ

65 typ

40 typ

>50

60 typ

>50

55 typ

>50

40 typ

>50

55 typ

>50

Impedance data

Input / Load

Avail.

Almost identical package

Different Package

Philips Type

VHF

BLF147

Motorola Type

Operation

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-A

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-A

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-B

Class-AB

Class-A

Class-B

Class-AB

Class-B

Package

SOT121B

211-11, STYLE 2

SOT121B

211-11, STYLE 2

316-01, STYLE 2

SOT161A

SOT119A

316-01, STYLE 2

SOT279A

319B, STYLE 1

SOT123A

211-07, STYLE 2

SOT123A

211-07, STYLE 2

SOT123A

211-07, STYLE 2

SOT123A

211-07, STYLE 2

SOT409A

SOT123A

211-07, STYLE 2

SOT409A

Comments

MRF174

MRF141

MRF140

BLF246

MRF173

MRF173CQ

BLF246B

BLF346

MRF173CQ

BLF245B

MRF136Y

BLF245

MRF171A

MRF137

BLF175

MRF148A

BLF244

MRF136

BLF242

MRF134

BLF404

BLF202

BLF145

BLF242

MRF134

BLF202

SEMICONDUCTORS NIJMEGEN

VERSION 1.1

参数对比

与BLF246B相近的元器件有：BLF521、BLF542、BLF404。描述及对比如下：

型号	BLF246B	BLF521	BLF542	BLF404
描述	TRANSISTOR 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FET RF Power	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SOT-171A, 6 PIN, FET RF Power	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, SMD, 8 PIN, FET RF Power
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8	CERAMIC PACKAGE-4	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6	SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V	40 V	65 V	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	1 A	1.5 A	1.5 A
最大漏极电流 (ID)	8 A	1 A	1.5 A	1.5 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F8	O-CRDB-F4	R-CDFM-F6	R-CDSO-G8
元件数量	2	1	1	1
端子数量	8	4	6	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	DISK BUTTON	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	GULL WING
端子位置	DUAL	RADIAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
外壳连接	ISOLATED	SOURCE	ISOLATED	-
功耗环境最大值	130 W	10 W	20 W	-
最大功率耗散 (Abs)	130 W	10 W	-	8.3 W
最小功率增益 (Gp)	14 dB	10 dB	13 dB	-
针数	-	4	6	8

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了解boot的朋友帮帮我吧,我实在是没办法了,要崩溃了,程序写进片子后没任何的响应,我要急疯了: #include iom128v.h #define BAUD 9600 //波...; zouxianzhao 嵌入式系统

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印度欲发展电脑硬件产业拉拢巨头建CPU工厂

北京时间4月17日消息，据《纽约时报》报道，印度向来是许多重量级软件外包企业的大本营，现在该国政府期望复制其在软件领域的成功经验，推动本土电脑硬件产业向前发展。　　与硬件产业不同，软件产业不太重视基础设施建设，反而对建立电子产业的需求更加紧迫，但芯片业者则需要大量干净水源和可靠的电力供应。以台式电脑和笔记本电脑组装为例，这主要依赖于规模经济和廉价的零组件，但仅仅只是这些条件，中国也耗费了...[详细]
英国研制出世界上最高增益的大功率激光放大器

　　英国斯特拉斯克莱德大学(University of Strathclyde)的研究人员成功研制出世界上最高增益的大功率激光放大器。他们利用中央激光设备Vulcan激光系统进行实验，Vulcan装置能够输出150 J的脉冲。下面就随工业控制小编一起来了解一下相关内容吧。在两次实验中，研究人员与CLF的工作人员密切合作，对Vulcan进行调整，使两束不同颜色的激光光束能够在等离子体中交换...[详细]
基于SiGe HBT的射频有源电感的设计

电感在射频单片集成电路中具有重要作用，主要具备阻抗转换、谐振、反馈、滤波等功能。随着无线通信技术的迅速发展，电子产品越来越向高速化、微型化，便携化方向发展。由于无源电感占据了射频集成电路大部分的芯片面积，所以如何减小片上无源电感的面积成为现在人们亟待解决的难题。研究得比较多的集成电感的主要是金属互连线电感，但其具有占有芯片面积大、品质因数Q低等缺点。因此，采用占面积小的有源电感代替无源...[详细]
基于EASY嵌入式PLC芯片构建现场总线ETS系统

TSI系统(汽轮机状态监视和保护系统)和ETS系统(汽轮机危机跳闸系统)是火力发电厂保证汽轮机和发电机正常运转的重要设备，在火力发电企业运用十分普遍。在当前的大部分应用中，这两套系统是互相独立的，一般由专业的TSI设备供应商提供TSI系统，而ETS系统则用通用的PLC来构建。但事实上两套系统之间存在着很多联系，TSI系统的输出往往是ETS系统的输入。如果能使两套系统有机融合，不仅可以节省成本，更可...[详细]
LABVIEW在EXE程序间使用共享变量

1、共享变量在底层运行，为了排除不必要的麻烦，尽可能用英文目录。 2、共享变量设定：没有特别的，都是默认的选项值：网络发布，但不用别名（因为只在本机验证，实际使用需要用别名方便其它电脑或程序调用）。 3、程序原理发送VI：Publisher.vi 先输入变量库文件路径部署库，再循环写入布尔和数值到变量中，按stop中止程序。因为变量库文件希望做到可以动态...[详细]
中美半导体战美光到底打什么算盘？

美光大动作全数收购华亚科股权，业界人士认为，DRAM产业早已从谷底翻身，美光此举除了有助美化业绩，拥有华亚科的绝对掌控力后，未来若紫光与美光洽商各种形式的合作，美光更有谈判筹码。况且美光实际仅须出资一百多亿元，即可完成进可攻、退可守布局。美光收购华亚科百分之六十七股权，表面必须投下约一千三百亿元，金额看似庞大，但其中八百亿元将以华亚科为主体，向银行融资；另外台塑集团出售华亚科股权后，...[详细]
业界首发：三星32GB DDR4 SoDIMM内存出货

集微网消息，三星电子今天宣布，已开始大规模生产业内首款用于游戏笔记本电脑的单条32GB DDR4 SoDIMM（小型双列直插式内存模块）内存。新的SoDIMM内存基于10纳米工艺技术，能够显着提高容量和速度的同时并降低能耗。 SoDIMM，即小型双列直插式内存模块。它是一种类型的计算机内存模组。相对于DIMM来说，SO-DIMM具有更小的外形尺寸（大致是正常DIMM尺寸的一半）。因此，SO-DI...[详细]
外媒：移动技术才是电信业发展的未来

2月18日消息，据国外媒体报道，本周在西班牙巴塞罗那举办的全球移动大会（MWC）向世界传递出一个非常明确的消息——移动技术才是电信业发展的未来。电信业的巨头们，比如三星、诺基亚等等正在全力追赶例如苹果、谷歌以及微软这样的拥有领先技术的公司，电信产业未来必将出现“群雄逐鹿”的场面。　　谷歌公司董事会主席兼首席执行官埃里克·施密特（Eric Schmidt）在大会期间发表主题性演讲...[详细]
华为制裁系双刃剑？三星电子进退两难

华为制裁事件对于三星是利是弊？在情况尚未明朗前，面对智能手机事业对手，同时也是半导体客户的华为，三星电子处于进退两难的状况。据韩媒《news1》报导指出，虽然三星营收规模不小，但仔细分析的话，情况并不容乐观。以三星事业类别来看，第1季三星电子半导体事业营收为147，000亿韩元，营益为41，200亿韩元，在第1季整体营益（77，700亿）中，半导体事业的营益已经过半。而华为...[详细]
美国空军下发千万级固态电池订单

8月14日，Natrion宣布获得美国空军的两项Small Business Innovation Research（SBIR）合同，总额超150万美元（约合人民币1070.12万元），进一步巩固了与美国国防部的合作。这些合同包括来自空军全球打击司令部（AFGSC）的I期合同和空军创新部门AFWERX的II期合同。其中，Natrion的I期合同聚焦于研发低温操作及形变能力的固态锂金属电池...[详细]
MTK与腾讯游戏成立联合创新实验室从P60开始探索AI与AR应用

集微网3月7日消息，联发科技与腾讯游戏双方共同宣布成立联合创新实验室，围绕手机游戏及其他互娱产品的开发与优化达成战略合作。双方将充分发挥各自在软硬件方面的互补优势，深化协同创新，基于联发科技手机芯片平台开发和优化更多更好的游戏产品，为数亿手机用户创造更加卓越的游戏体验。此外，随着人工智能（AI）技术在终端侧的广泛部署，双方也将共同探索基于AI技术的未来游戏产品形态和互动娱乐应用场景，助力AI在...[详细]
基于MB90092型的视频监控系统的设计与实现

摘要：叙述单片机控制的图像叠加的一般原理，引入对抗的概念，介绍一种利用叠加技术提高有关部门视频监控系统安全性的方法。使用该方法可以有效地防止在被监控端高科技人员故意对监控头及线路的作假行为，确保远程监控图像的真实性和可靠性。关键词：MB90092；视频字符叠加；监控系统；设计中图分类号：TN941.3 文献标识码：A 文章编号：1006-6977（2006）01-0018-04 1 引言...[详细]
研祥掌门人陈志列：让特种计算机全装中国芯

陈志列　　两年前成为“2007年CCTV中国经济年度人物”和“年度创新人物”之后,今年46岁的陈志列才和他的研祥集团一起，逐渐走进公众视线。这个已经进入国际特种计算机行业第一梯队的企业家，已经不满足于“国内第一、国际第三”的现状，他的最新计划是：在5年内，打败西门子，成为全球老大。　　“国外有‘INTEL INSIDE’，我们要有‘研祥INSIDE’。”这是陈志列的决心。现在的研祥就...[详细]
恒照度自适应调光的LED驱动器设计

本文针对传统照明能效低、耗电量大等问题，设计了LED恒照度调光驱动器。系统使用恒流LED控制芯片NCL30160作为LED光源驱动电路，采用TSL2561光照度传感器采集室内光照度，通过处理器相应算法进行闭环控制，实现室内的恒照度调光。该算法实现了PWM波形平滑变化，避免因PWM突变造成闪光。同时，系统增加了人体运动控制，实现无人、有人时的不同调光方案，使设计进一步节能和智能化。 1 系统简介...[详细]
JLR新专利：通过变色换挡拨片向驾驶员传递信息

据外媒报道，汽车制造商捷豹路虎（JLR）向世界知识产权局（World Intellectual Property Office）申请了一项专利，该专利主要讨论通过照亮方向盘后的换挡拨片，向驾驶员传达各种信息。捷豹路虎专利（图片来源：carbuzz.com）背景照亮换挡拨片的技术并不是新技术，很多汽车制造商都采用该技术来突出车辆两侧的标志。例如，2000年代初期的E46宝马M3...[详细]