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BPX86

PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
光电晶体管探测器

器件类别：光电子/LED    光电   

厂商名称：Osram Opto Semiconductor

厂商官网：https://www.osram.com/index-2.jsp

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Osram Opto Semiconductor
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
Reach Compliance Code
compli
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Mi
32 V
配置
SEPARATE, 6 ELEMENTS
最大暗电源
50 nA
红外线范围
YES
JESD-609代码
e2
标称光电流
0.32 mA
安装特点
THROUGH HOLE MOUNT
功能数量
6
最高工作温度
80 °C
最低工作温度
-40 °C
光电设备类型
PHOTO TRANSISTOR
峰值波长
850 nm
最长响应时间
0.000008 s
形状
ROUND
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Nickel (Sn/Ni)
文档预览
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Silicon NPN Phototransistor Arrays
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
BPX 80
BPX 82
…
89
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
• Gruppiert lieferbar
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
• High linearity
• Multiple-digit array package of transparent
epoxy
• Available in groups
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPX 82
BPX 83
BPX 84
BPX 85
BPX 86
BPX 87
BPX 88
BPX 89
BPX 80
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P0021
Q62702P0025
Q62702P0030
Q62702P0031
Q62702P0022
Q62702P0032
Q62702P0033
Q62702P0026
Q62702P0028
Fotostrom
,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
, V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
(mA)
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
2007-04-04
1
BPX 80, BPX 82
…
89
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
μs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 80
35
50
200
90
750
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
2007-04-04
2
BPX 80, BPX 82
…
89
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 20 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
450
…
1100
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
0.11
0.5
×
0.5
±
18
7.5
mm
2
mm
×
mm
Grad
deg.
pF
C
CE
I
CEO
1 (≤ 50)
nA
2007-04-04
3
BPX 80, BPX 82
…
89
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit Buchstaben
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
alphabetic characters.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
,
V
CE
= 5 V
Symbol
Symbol
-A
-B
Werte
Value
-C
Einheit
Unit
I
PCE
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
1)
1)
0.32…0.63
1.5
5.5
0.40…0.80
1.9
6
≥
0.50
2.3
8
mA
mA
μs
t
r
,
t
f
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die
Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich.
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite group.
2007-04-04
4
BPX 80, BPX 82
…
89
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
%
90
Srel
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
500
600
700
800
nm
900 1000 1100
lambda
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
8
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
10
pF
7
C
CE
6
5
4
3
nA
I
CEO
1
0.1
2
1
0
1E-03
0.01
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
V
CE
V
1E+02
0
5
10
15
20
25
30
V
35
V
CE
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 20 V,
E
= 0
10000
nA
1000
I
CEO
100
10
1
0.1
0.01
-25
0
25
50
75
T
A
°C
100
2007-04-04
5
查看更多>
参数对比
与BPX86相近的元器件有：BPX80_99、BPX83、BPX80、BPX82、BPX89、BPX88、BPX87、BPX85、BPX84。描述及对比如下：
型号 BPX86 BPX80_99 BPX83 BPX80 BPX82 BPX89 BPX88 BPX87 BPX85 BPX84
描述 PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
功能数量 6 2 3 10 2 9 8 7 5 4
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合 - 符合
厂商名称 Osram Opto Semiconductor - Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 - ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli compli compli compli compli
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Mi 32 V - 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V
配置 SEPARATE, 6 ELEMENTS - SEPARATE, 3 ELEMENTS SEPARATE, 10 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 9 ELEMENTS SEPARATE, 8 ELEMENTS SEPARATE, 7 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS
最大暗电源 50 nA - 50 nA 50 nA 50 nA 50 nA 50 nA 50 nA 50 nA 50 nA
红外线范围 YES - YES YES YES YES YES YES YES YES
JESD-609代码 e2 - e2 e2 e2 e2 e2 e2 e3 e2
标称光电流 0.32 mA - 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA
最高工作温度 80 °C - 80 °C 80 °C 80 °C 80 °C 80 °C 80 °C 80 °C 80 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
光电设备类型 PHOTO TRANSISTOR - PHOTO TRANSISTOR PHOTO TRANSISTOR PHOTO TRANSISTOR PHOTO TRANSISTOR PHOTO TRANSISTOR PHOTO TRANSISTOR PHOTO TRANSISTOR PHOTO TRANSISTOR
峰值波长 850 nm - 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm
最长响应时间 0.000008 s - 0.000008 s 0.000008 s 0.000008 s 0.000008 s 0.000008 s 0.000008 s 0.000008 s 0.000008 s
形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Nickel (Sn/Ni) - Tin/Nickel (Sn/Ni) Tin/Nickel (Sn/Ni) Tin/Nickel (Sn/Ni) Tin/Nickel (Sn/Ni) Tin/Nickel (Sn/Ni) Tin/Nickel (Sn/Ni) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie Tin/Nickel (Sn/Ni)
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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