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BS108

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：ITT Corporation

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参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

ITT Corporation

包装说明

,

Reach Compliance Code

unknow

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609代码

e0

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

0.35 W

表面贴装

NO

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

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参数对比

与BS108相近的元器件有：BS208、BS112、BS212、BS250。描述及对比如下：

型号	BS108	BS208	BS112	BS212	BS250
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Transistor	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Transistor	Transistor
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	Single	Single	Single	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.25 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.25 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	P-CHANNEL	N-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.83 W	0.83 W	0.83 W	0.83 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称	ITT Corporation	ITT Corporation	-	ITT Corporation	ITT Corporation

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