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CLX27-05

HiRel X-Band GaAs Power-MESFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Infineon(英飞凌)
包装说明
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
11 V
最大漏极电流 (ID)
0.42 A
FET 技术
METAL SEMICONDUCTOR
最高频带
X BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
DEPLETION MODE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)
18 dB
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches
1
参数对比
与CLX27-05相近的元器件有:CLX27-00、CLX27-10、CLX27。描述及对比如下:
型号 CLX27-05 CLX27-00 CLX27-10 CLX27
描述 HiRel X-Band GaAs Power-MESFET HiRel X-Band GaAs Power-MESFET HiRel X-Band GaAs Power-MESFET HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 -
针数 2 2 2 -
Reach Compliance Code unknown unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
最小漏源击穿电压 11 V 11 V 11 V -
最大漏极电流 (ID) 0.42 A 0.42 A 0.42 A -
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR -
最高频带 X BAND X BAND X BAND -
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 -
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最小功率增益 (Gp) 18 dB 17.5 dB 18 dB -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES -
端子形式 FLAT FLAT FLAT -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE -
Base Number Matches 1 1 1 -
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