CR6AF1BK,CR6AF1BK pdf中文资料,CR6AF1BK引脚图,CR6AF1BK电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与CR6AF1BK相近的元器件有：CR6AF10LEADFREE、CR6AF1LEADFREE、CR6AF2LEADFREE、CR6AF4BK、CR6AF6LEADFREE、CR6AF4LEADFREE、CR6AF8LEADFREE、CR6AF6BK、CR6AF2BK。描述及对比如下：

型号	CR6AF1BK	CR6AF10LEADFREE	CR6AF1LEADFREE	CR6AF2LEADFREE	CR6AF4BK	CR6AF6LEADFREE	CR6AF4LEADFREE	CR6AF8LEADFREE	CR6AF6BK	CR6AF2BK
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE 106, 2 PIN
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	PLASTIC, CASE 106, 2 PIN	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
针数	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
制造商包装代码	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106	CASE 106
Reach Compliance Code	unknown	compliant	not_compliant	compliant	unknown	compliant	compliant	compliant	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e0	e3	e3	e3	e0	e3	e3	e3	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	1000 V	100 V	200 V	400 V	600 V	400 V	800 V	600 V	200 V
最大反向恢复时间	0.2 µs	0.5 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.5 µs	0.2 µs	0.5 µs	0.5 µs	0.2 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	TIN LEAD	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	-	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-	-
是否无铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	-	-
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合	-	符合	符合	符合	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	260	-	260	260	260	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	-	10	10	10	-	10	10	10	-	-

智林STM32的人机交互工程: 有智林STM32板的朋友可以下载使用。用智林板上的七个键输入英文。 STM32英...; wxzajx stm32/stm8

请问现在的 wm 2003 ,WM5 , WM6 的智能系统是不是都已经默认安装了 .NET 框架????: 请问现在的 wm 2003 ,WM5 , WM6 的智能系统是不是都已经默认安装了 .NET 框...; shenzao 嵌入式系统

stm32f105/107usbOTG能接现在普通的U盘和PC吗？: stm32f105/107usbOTG能接现在普通的U盘和PC吗...; szkyd stm32/stm8

zigbee协议栈分析: 使用的协议栈版本信息: ZigBee2006\\ZStack-1.4.3-1.2.1 记录...; wateras1 RF/无线

电容的两种等效电路: 最近在学习去耦的过程中两，看到了种电容的等效电路，虽然都是从其结构，材料和生产工艺入手，但是两...; nathanzhang 模拟电子

【翌创ET6001测评】GPIO流水灯: 今天先写一个流水灯的程序。流水灯对大家来说应该是非常简单了。不过我写这个程序还是踩了...; zhishiruxia 国产芯片交流

JTAG口及其对Flash的在线编程

摘要：通过JTAG实现对Flash在线编程。首先，介绍JTAG的定义、结构及引脚的定义，并阐述JTAG状态机的工作原理。然后，介绍JTAG口的边界扫描寄存器，给出实现JTAG在线写Flash的电路，和如何通过JTAG实现Flash的编程及程序流程图。关键词：JTAG Flash 在线编程随着嵌入式技术的发展，在一些高端的掌上设备中，都使用了Flash芯片，如Compaq的iPAQ、联想的...[详细]
app如何通过多种固件下载器实现OTA升级

前言：前边讲过stm32通用bootloader的实现方法，没有看过的，可以参考这一篇文章：STM32通用Bootloader——FOTA，这次将在上篇bootloader的基础上，介绍app如何通过多种固件下载器实现OTA升级。此项目硬件使用的是STM32F429开发板，代码全部使用RT-Thread Studio搭积木的方式实现，仅仅改动了几行代码，开发效率非常高。此项目的地址：htt...[详细]
威马汽车选择搭载BlackBerry实时操作系统

BlackBerry宣布，智能电动汽车制造商威马汽车科技集团（威马汽车）将在其下一代车型中搭载 BlackBerry QNX® Neutrino® 实时操作系统 (RTOS)和其他 QNX 软件产品。作为合作协议的一部分，威马汽车将采用包括 QNX®数字驾驶舱平台和 QNX®安全虚拟机在内的一系列 BlackBerry QNX 软件和服务，确保即将量产的第三代 SUV 车载软件的功能安全、...[详细]
苹果联合创始人：平板电脑是普通人的PC

据国外媒体报道，苹果联合创始人史蒂夫·沃兹尼克(Steve Wozniak)当地时间周一在“全球存储网络”(Storage Networking World)会议上作主题发言时表示，平板电脑是“普通人”的PC。在被问到平板电脑对计算机产业的影响时，沃兹尼克说，平板电脑对计算机产业的影响可以与电视机对普通人生活的影响相媲美，“平板电脑对与会者并非是必需品，它面向普通人”。 ...[详细]
小米Civi方向对了！将在潮流手机上继续加大投入

昨日，小米手机全新潮流系列——小米Civi正式发布，凭借全新丝绒AG工艺、仅6.98mm机身、166g轻，小米Civi成为史上最好看小米手机，同时也是业内迄今同档位最轻薄的自拍旗舰。在小米Civi发布后，有数码博主对该机作出评价称，小米Civi称得上是其近年摸过的一款最不像“小米系”的小米机型，因为它实在是太轻薄了，再加上双曲面的机身玻璃设计，想象不到这款机型出自小米之手。今日，小米CE...[详细]
浅析PLC闪烁电路

PLC闪烁电路按下启动按钮I0.0，继电器M0.0接通 M0.0吸合其常开点闭合形成自锁，另一个常开点接通线圈Q0.0和定时器T1 当定时器T1计时结束，继电器M0.1接通。M0.1常闭点断开线圈Q0.0，常开点闭合接通定时器T2。当定时器T2计时结束接通继电器M0.2 M0.2接通其常闭点断开，复位定时器T1。定时器T1复位断开继电器M0.1，M0.1断开其常闭点...[详细]
仪器维护应当遵循的基本规则

一、改变规则当系统出了故障，你可以试探性地改变某些状态，一次可以改变一个参数。例如，限制色谱峰脱维的问题，可以依次改变流动相，换保护柱，换分析柱等。做一些简单的改变步骤，也许就能解决问题。二、取代规则用好的部件换下可疑的部件，是查找故障的最好方法。如果你怀疑检测器引起了噪音，就换一个性能好的检测器。如果故障被排除了，就说明换下的检测器有问题。这个规则应用的规模有大有小，可以从换整个部件到换...[详细]
全球：今年半导体用硅出厂量“原地踏步”

据预测，今年半导体管座用硅出厂量将维持去年同等水平。　　国际半导体装备材料协会(SEMI)10月11日预测，今年全球半导体用硅出厂量将为89亿100万平方英寸(in2)，同比去年出厂量(88亿1300万in2)增长了1%。　　半导体管座核心材料硅出厂量自2010年刷新了历史最高纪录后(91亿2100万平方英寸)去年呈现了小幅下降，预计今年也无望呈大幅增长。　　SEMI社长表示，...[详细]
AMD发布了一款基于其第二代Vega架构的新显卡

近日AMD发布了一款基于其第二代Vega架构的新显卡，售价700美元的Radeon VII。GPU是第一款基于7nm工艺的消费者可用的产品。较小的流程往往更快，更节能，这意味着理论上它可以比具有更大流程的GPU还要快，如第一代Vega GPU（14nm）或Nvidia的RTX 20系列（12nm）。而就在几天前，Nvidia准备把RTX 2080系列引入游戏笔记本电脑。 A...[详细]
苹果现给安全研究人员提供 “越狱” iPhone

苹果于当地时间周三启动了其安全研究设备计划，计划向安全研究人员提供特殊版的 iPhone。该特殊 iPhone 提供了一般 iPhone 中受限部分的 SSH 权限。 ▲ 图截于苹果开发者官网　　据福布斯去年 8 月报道，苹果计划为安全研究人员提供特殊的开发版 iPhone，在这上面可以做的远比普通 iPhone 多得多，同时支持在研究人员在对 iOS 代码进行攻击时查看代码级别的情况。...[详细]
3D NAND时代来临韩国抢占次世代硬遮罩市场

据ET News报导，韩国计划以3D NAND Flash存储器制程转换为契机，反攻硬遮罩蒸镀设备市场。新半导体制程技术3D NAND时代来临后，也将为上游产业设备、材料业界带来庞大的商机。三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等半导体大厂均已开始或准备量产3D NAND Flash，带动硬遮罩...[详细]
怎么样才能让AI更好地服务于社会？

3月26日至29日，以“共同命运共同行动共同发展”为主题的博鳌亚洲2019年年会在海南举行。一直被市场广泛关注的话题成为论坛讨论的热点。就像是好莱坞电影描述的一样，AI非常的有戏剧性，目前，对AI的炒作是不是现实的，伦理怎么办，隐私怎么办，还有整个行业怎么办，现在谁在使用AI？AI又会在哪些领域带来颠覆性的影响？ “AI已经过了60年，包括很多算力和数据的问题，之所以还在谈，是因...[详细]
台积电3nm芯片下半年量产 2023年向苹果提供？

苹果芯片制造合作伙伴台积电表示，会在今年下半年将其3nm芯片工艺转移到批量生产阶段，从而有望在2023年向苹果提供下一代技术。据DigiTimes援引业内消息人士的话，台积电最初预计每月将加工3万至3.5万片使用3nm工艺技术生产的晶圆。日经亚洲在2021年7月的一份报告称，苹果今年将推出一款iPad，其处理器基于台积电的3nm工艺。今天来自DigiTimes的报告也声称，苹果将首先...[详细]
程控多功能三相功率源的设计

　　前言　　程控三相交流功率源的应用十分广泛，它被大量应用于冶金、通信、化工、电力及军工等诸多行业。用于交流调压、调功、调光及电机软启动等工业自动化控制领域，还可以用于计量以及产品的性能试验等方面。用于计量和产品试验等领域的功率源对于其输出波形要求较高，要求功率源输出完整的正弦波信号，对于正弦波的失真度有一定的限制。目前此类交流功率源的实际输出功率都很小，它们一般只强调单项指标，即电流或电...[详细]
GD32串口接收异常的几个原因

前面我们介绍过GD32 485发送时出现异常的最常见原因，有小伙伴反馈想要知道GD32 串口接受异常的可能原因，今天我们就来安排。一、波特率异常导致收发出错我们知道，串口是异步通讯接口，通讯双方或者多方都需要工作在相同波特率下，如果波特率不对，则发送和接收都会异常。通常引起波特率异常的原因有以下几种：外部晶振频率设置错误 GD32 固件库中，波特率的运算是需要去获取挂载这个串口的内部总...[详细]