漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):73W 类型:N沟道
器件类别:分立半导体 晶体管
厂商名称:ON Semiconductor(安森美)
厂商官网:http://www.onsemi.cn
供应商:
器件:FQB5N50CTM
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