型号

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关键词

FRC230H

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

Objectid

1925588800

零件包装代码

DIE

包装说明

UNCASED CHIP, X-XUUC-N

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

200 V

最大漏极电流 (ID)

8 A

最大漏源导通电阻

0.75 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

X-XUUC-N

JESD-609代码

元件数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装形状

UNSPECIFIED

封装形式

UNCASED CHIP

极性/信道类型

N-CHANNEL

认证状态

Not Qualified

表面贴装

YES

端子面层

TIN LEAD

端子形式

NO LEAD

端子位置

UPPER

晶体管元件材料

SILICON

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