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GBJ1008

3 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
3 A, 800 V, 硅, 桥式整流二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:重庆平伟实业

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GBJ1008 在线购买

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器件:GBJ1008

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
4
元件数量
4
最小击穿电压
800 V
最大平均输入电流
3 A
加工封装描述
塑料, GBJ, 4 PIN
无铅
Yes
欧盟RoHS规范
Yes
状态
ACTIVE
包装形状
矩形的
包装尺寸
凸缘安装
端子形式
THROUGH-孔
端子涂层
NOT SPECIFIED
端子位置
单一的
包装材料
塑料/环氧树脂
结构
桥, 4 ELEMENTS
壳体连接
隔离
二极管元件材料
二极管类型
桥式整流二极管
相数
1
最大重复峰值反向电压
800 V
最大非重复峰值正向电流
170 A
参数对比
与GBJ1008相近的元器件有:GBJ1010、GBJ1006、GBJ1002、GBJ1004、GBJ1001、GBJ10005。描述及对比如下:
型号 GBJ1008 GBJ1010 GBJ1006 GBJ1002 GBJ1004 GBJ1001 GBJ10005
描述 3 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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