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GP800DHB12T

Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1200V V(BR)CES

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Microsemi

Reach Compliance Code

unknown

最大集电极电流 (IC)

800 A

集电极-发射极最大电压

1200 V

门极-发射极最大电压

20 V

元件数量

2

最高工作温度

150 °C

最大功率耗散 (Abs)

6000 W

VCEsat-Max

3.5 V

Base Number Matches

1

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