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HTT1115E

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, EMFPAK-6

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Hitachi (Renesas )
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数
6
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.05 A
基于收集器的最大容量
0.45 pF
集电极-发射极最大电压
4 V
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)
100
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-F6
元件数量
2
端子数量
6
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.2 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
12000 MHz
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