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IDT7MP6160S12M

Cache SRAM Module, 512KX8, 12ns, BICMOS, LOW PROFILE, CARD EDGE MODULE-160

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
CARD
包装说明
LOW PROFILE, CARD EDGE MODULE-160
针数
160
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
12 ns
其他特性
ASYNCHRONOUS VERSION AVAILABLE
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N160
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
CACHE SRAM MODULE
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
160
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM160
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.12 A
最小待机电流
4.75 V
最大压摆率
1 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.25 V
最小供电电压 (Vsup)
4.75 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
BICMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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