IRF841,IRF841 pdf中文资料,IRF841引脚图,IRF841电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Fairchild

零件包装代码

SFM

包装说明

TO-220, 3 PIN

针数

Reach Compliance Code

compliant

雪崩能效等级（Eas）

510 mJ

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

450 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

最大漏极电流 (ID)

8 A

最大漏源导通电阻

0.85 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

125 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

32 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

参数对比

与IRF841相近的元器件有：MTM7N50、MTM7N45、IRF440、IRF440-443、IRF441、IRF442、IRF443、IRF842、IRF843。描述及对比如下：

型号	IRF841	MTM7N50	MTM7N45	IRF440	IRF440-443	IRF441	IRF442	IRF443	IRF842	IRF843
描述	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
元件数量	1	1	1	-	1	1	1	1	-	1
端子数量	3	3	3	-	3	3	3	3	-	3
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-孔	THROUGH-孔	-	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	-	THROUGH-孔
端子位置	SINGLE	单一的	单一的	-	单一的	单一的	单一的	单一的	-	单一的
晶体管应用	SWITCHING	开关	开关	-	开关	开关	开关	开关	-	开关
晶体管元件材料	SILICON	硅	硅	-	硅	硅	硅	硅	-	硅
最小击穿电压	-	500 V	500 V	-	500 V	500 V	500 V	500 V	-	500 V
状态	-	TRANSFERRED	TRANSFERRED	-	TRANSFERRED	TRANSFERRED	TRANSFERRED	TRANSFERRED	-	TRANSFERRED
包装形状	-	矩形的	矩形的	-	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	-	矩形的
包装尺寸	-	凸缘安装	凸缘安装	-	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	-	凸缘安装
端子涂层	-	锡铅	锡铅	-	锡铅	锡铅	锡铅	锡铅	-	锡铅
包装材料	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	塑料/环氧树脂
结构	-	单一的	单一的	-	单一的	单一的	单一的	单一的	-	单一的
壳体连接	-	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN
通道类型	-	N沟道	N沟道	-	N沟道	N沟道	N沟道	N沟道	-	N沟道
场效应晶体管技术	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	-	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT
晶体管类型	-	通用电源	通用电源	-	通用电源	通用电源	通用电源	通用电源	-	通用电源
最大漏电流	-	8 A	8 A	-	8 A	8 A	8 A	8 A	-	8 A
最大漏极导通电阻	-	0.8500 ohm	0.8500 ohm	-	0.8500 ohm	0.8500 ohm	0.8500 ohm	0.8500 ohm	-	0.8500 ohm
最大漏电流脉冲	-	32 A	32 A	-	32 A	32 A	32 A	32 A	-	32 A