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IRF9530NSPBF

14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
14 A, 100 V, 0.2 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

器件标准:

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IRF9530NSPBF 在线购买

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器件:IRF9530NSPBF

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
包装说明
LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)
250 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
14 A
最大漏极电流 (ID)
14 A
最大漏源导通电阻
0.2 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
56 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与IRF9530NSPBF相近的元器件有:IRF9530NLPBF。描述及对比如下:
型号 IRF9530NSPBF IRF9530NLPBF
描述 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 250 mJ 250 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A 14 A
最大漏极电流 (ID) 14 A 14 A
最大漏源导通电阻 0.2 Ω 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A 56 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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