IRFU421

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-251AA

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Renesas(瑞萨电子)

Reach Compliance Code

not_compliant

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609代码

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

50 W

表面贴装

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

参数对比

与IRFU421相近的元器件有：IRFR421、IRFR422、IRFU422。描述及对比如下：

型号	IRFU421	IRFR421	IRFR422	IRFU422
描述	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-251AA	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-252AA	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2.2A I(D),TO-252AA	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2.2A I(D),TO-251AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
配置	Single	Single	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.5 A	2.5 A	2.2 A	2.2 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W	50 W	50 W	50 W
表面贴装	NO	YES	YES	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)