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IRHY57130CM

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN

器件类别:晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
包装说明
FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
雪崩能效等级(Eas)
87 mJ
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
16 A
最大漏极电流 (ID)
18 A
最大漏源导通电阻
0.07 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-257AA
JESD-30 代码
S-XSFM-P3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
72 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与IRHY57130CM相近的元器件有:IRHY57130CMPBF、IRHY58130CM、IRHY58130CMPBF。描述及对比如下:
型号 IRHY57130CM IRHY57130CMPBF IRHY58130CM IRHY58130CMPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
Is Samacsys N N N N
雪崩能效等级(Eas) 87 mJ 87 mJ 87 mJ 87 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 18 A 18 A 18 A 18 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A 72 A 72 A 72 A
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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