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KRA101S-RTK

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：KEC

厂商官网：http://www.keccorp.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
KEC
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)
30
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
PNP
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
200 MHz
文档预览
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.
FEATURES
・
With Built-in Bias Resistors.
・
Simplify Circuit Design.
・
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
KRA101S~KRA106S
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
L
E
B
L
2
A
G
H
3
1
Q
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1(4.7 k
IN
R2
BIAS RESISTOR VALUES
TYPE NO.
KRA101S
KRA102S
KRA103S
KRA104S
KRA105S
R1(kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2(kΩ)
4.7
10
C
N
P
P
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
0.1 MAX
K
M
1. COMMON (EMITTER)
22
47
47
47
2. IN (BASE)
3. OUT (COLLECTOR)
COMMON(+)
KRA106S
SOT-23
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Output Voltage
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Voltage
KRA104S
KRA105S
KRA106S
Output Current
Power Dissipation
KRA101S½106S
Junction Temperature
Storage Temperature Range
I
O
P
D
T
j
T
stg
V
I
-40, 10
-12, 5
-20, 5
-100
200
150
-55½150
mA
mW
℃
℃
SYMBOL
V
O
RATING
-50
-20, 10
-30, 10
-40, 10
V
UNIT
V
MARK SPEC
TYPE
MARK
KRA101S KRA102S KRA103S KRA104S KRA105S KRA106S
PA
PB
PC
PD
PE
PF
Marking
Lot No.
Type Name
2008. 10. 29
Revision No : 4
J
D
1/6
KRA101S~KRA106S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Output Cut-off Current
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
DC Current Gain
KRA104S
KRA105S
KRA106S
Output Voltage
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Voltage (ON)
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S½104S
Input Votlage (OFF)
KRA105S½106S
Transition Frequency
KRA101S½106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Current
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S
KRA102S
KRA103S
Input Resistor
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S~104S
Resistor Ratio
KRA105S
KRA106S
Note : *Characteristic of Transistor Only
R2/R1
-
R1
-
32.9
1.54
3.29
0.8
17
8
47
2.2
4.7
1.0
21
10
61.1
2.86
6.11
1.2
26
12
I
I
V
I
=-5V
-
-
-
3.29
7
15.4
-
-
-
4.7
10
22
-0.18
-3.6
-1.8
6.11
13
28.6
kΩ
f
T
*
V
O
=-10V, I
O
=-5mA
V
I(OFF)
V
O
=-5V, I
O
=-0.1mA
-0.5
-
-
-
-
-0.65
200
-
-
-
-
-
-1.8
-0.88
-0.36
mA
MHz
V
I(ON)
V
O
=-0.2V, I
O
=-5mA
-
-
-
-1.0
-2.8
-0.8
-0.9
-1.2
-5.0
-1.1
-1.3
-
V
V
O(ON)
I
O
=-10mA, I
I
=-0.5mA
G
I
V
O
=-5V, I
O
=-10mA
80
80
80
-
-
-
-
200
200
200
-0.1
-1.5
-1.8
-2.1
-
-
-
-0.3
-2.0
-2.4
-3.0
V
V
SYMBOL
I
O(OFF)
TEST CONDITION
V
O
=-50V, V
I
=0
MIN.
-
30
50
70
TYP.
-
55
80
120
MAX.
-500
-
-
-
UNIT
nA
2008. 10. 29
Revision No : 4
2/6
KRA101S~KRA106S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
KRA101S
KRA102S
Rise
Time
KRA103S
t
r
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S
KRA102S
Switching
Time
Storage
Time
KRA103S
t
stg
KRA104S
KRA105S
KRA106S
KRA101S
KRA102S
Fall
Time
KRA103S
t
f
KRA104S
KRA105S
KRA106S
-
-
-
0.63
0.1
0.2
-
-
-
V
O
=-5V
V
IN
=-5V
R
L
=1kΩ
-
-
-
-
-
-
1.1
1.1
1.1
0.15
0.24
0.38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.24
0.02
0.07
1.1
1.1
1.1
-
-
-
-
-
-
μ
S
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
-
-
-
TYP.
0.07
0.06
0.2
MAX.
-
-
-
UNIT
2008. 10. 29
Revision No : 4
3/6
KRA101S~KRA106S
2008. 10. 29
Revision No : 4
4/6
KRA101S~KRA106S
2008. 10. 29
Revision No : 4
5/6
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参数对比
与KRA101S-RTK相近的元器件有：KRA104S-RTK/P、KRA103S-RTK/P、KRA101S-RTK/P、KRA105S-RTK/P、KRA102S-RTK/P、KRA106S-RTK/P。描述及对比如下：
型号 KRA101S-RTK KRA104S-RTK/P KRA103S-RTK/P KRA101S-RTK/P KRA105S-RTK/P KRA102S-RTK/P KRA106S-RTK/P
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP,Vo=-50V,Io=-100mA 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.1A PD=0.2W R1=22K R2=22K 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP，Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW，内置偏压电阻 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP，Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW，内置偏压电阻 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.1A PD=0.2W R1=10K R2=10K 额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：PNP - 预偏压 PNP，Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW，内置偏压电阻
额定功率 - 200mW 200mW 200mW 200mW 200mW -
集电极电流Ic - 100mA 100mA 100mA 100mA 100mA -
集射极击穿电压Vce - 50V 50V 50V 50V 50V -
晶体管类型 - PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 -
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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