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KSE13003

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

SAMSUNG(三星)

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Reach Compliance Code

unknown

外壳连接

ISOLATED

最大集电极电流 (IC)

1.5 A

集电极-发射极最大电压

400 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-126

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

NPN

功耗环境最大值

20 W

最大功率耗散 (Abs)

20 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

4 MHz

最大关闭时间（toff）

4700 ns

最大开启时间（吨）

1100 ns

VCEsat-Max

3 V

文档预览

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