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MD51C67-45

Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Intel(英特尔)

厂商官网:http://www.intel.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1435196450
包装说明
DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
45 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-XDIP-T20
JESD-609代码
e0
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
16384 words
字数代码
16000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
16KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP20,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流
0.01 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
参数对比
与MD51C67-45相近的元器件有:D51C66-35L、D51C66-35、D51C66-25、D51C66-30。描述及对比如下:
型号 MD51C67-45 D51C66-35L D51C66-35 D51C66-25 D51C66-30
描述 Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 25ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 30ns, CMOS, CDIP20
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code compliant unknow unknow unknow unknow
最长访问时间 45 ns 35 ns 35 ns 25 ns 30 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDIP-T20 R-XDIP-T20 R-XDIP-T20 R-XDIP-T20 R-XDIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP20,.3 DIP20,.3 DIP20,.3 DIP20,.3 DIP20,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 0.1 mA 0.06 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1 1 -
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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