参数对比

与MSC23408C-80DS8相近的元器件有：MSC23408CL-80DS8、MSC23408C-70DS8、MSC23408CL-60DS8、MSC23408C-60DS8。描述及对比如下：

型号	MSC23408C-80DS8	MSC23408CL-80DS8	MSC23408C-70DS8	MSC23408CL-60DS8	MSC23408C-60DS8
描述	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, PSMA30,	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, PSMA30,	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 70ns, CMOS, PSMA30,	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, PSMA30,	Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, PSMA30,
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	80 ns	80 ns	70 ns	60 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30	R-PSMA-N30
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8
端子数量	30	30	30	30	30
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX8	4MX8	4MX8	4MX8	4MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SIM30	SIM30	SIM30	SIM30	SIM30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	20.447 mm	20.447 mm	20.447 mm	20.447 mm	20.447 mm
最大待机电流	0.008 A	0.0016 A	0.008 A	0.0016 A	0.008 A
最大压摆率	0.64 mA	0.64 mA	0.72 mA	0.8 mA	0.8 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

接地装置及其运行维护: 电气设备的任何部分与大地 ( 土壤 ) 间作良好的电气连接称为接地。接地是确保电气设备...; fighting 嵌入式系统

桥式推挽功率放大电路: 桥式推挽功率放大电路为实现单电源供电，且不用变压器和大电容，可采用桥式推挽功率放...; fighting 模拟电子

三相桥式驱动电路下桥低电位电流检测电阻的电压电流波形是怎么样的？: 三相桥式逆变电路把电流检测放在下桥IGBT和负母线之间，用低值电阻检测流过下桥的电流进而分析解耦逆...; 乱世煮酒论天下模拟电子

ADI DC1729A 线性稳压器评估板开箱以及静态分析: 【前言】非常感谢eeworld论坛以及得捷电子提供的这次ADI DC1729A 线性稳压器评估...; lugl4313820 电源技术

怎么测量共模信号？: 高压查分探针能够测量差分信号，但是怎么测量共模信号，是用两个差分探针分别测量两个输入端对地然后求平...; 乱世煮酒论天下测试/测量

测评汇总：正点原子i.MX93开发板: 活动详情：【正点原子i.MX93开发板】更新至 2024-08-11 测评报告汇总： @...; EEWORLD社区测评中心专版

远程自动报警系统的设计与实现

随着国家智能化小区建设的推广，防盗系统已成为智能小区的必备设备，特别是近几年，安全防范的迫切需要给家庭防盗报警系统提供了越来越广泛的市场。从国内来看，比较高档的防盗报警装置一般为进口产品，价格昂贵，且大多为有线连接方式。国内产品尽管不少，但大多为模拟电路形式，且结构和功能简单，可靠性差，难以联网。在已普及的公共电话网基础上研制一种新型家用自动报警系统，这对于保障居民的生命财产安全，提高公安、...[详细]
PIC18F46J50：8位无线开发解决方案[图]

Microchip公司的PIC18F46J50是采用nanoWatt XLP技术的低功耗高性能8位USB微控制器（MCU），深度睡眠模式的电流可低到13nA，工作电压2.0V~3.6V，片内集成了2.5V稳压器,具有丰富外设，主要用在智能手机、音频附属设备、视频游戏外设和先进的医疗电子。 PIC18F46J50是采用nanoWatt XLP技术的低功耗、高性能USB控制器。这一系列推出了一个产...[详细]
中国互联网手机造梦者:小米算成功了吗

小米算成功了吗　　40亿美元估值是否被夸大？500万的年销量真的没有悬念？中国第一部互联网手机的造梦者会不会成为先烈？　　《环球企业家》记者唐小薇侯继勇　　中国众多抢入手机行业的互联网公司们现在心情一定很矛盾：既希望小米手机(微博)能够成功，以证明以互联网的思路做手机是可行的；但又本能地不希望看到它这么快地成为率先成功的那个幸运儿。　　6月25日晚，小米手机突破300万台销量的...[详细]
联发科爆缺货旺季恐蒙尘

业界传出，亚洲手机晶片龙头联发科因较低阶的射频（RF）晶片缺货，导致热卖的智慧手机晶片出货受阻，缺货情况可能持续至第3季底，冲击本季传统旺季营运。联发科昨（11）日强调，所有产品供应正常，没有任何缺货情况。联发科上半年智慧型手机晶片出货量约2,800万至2,900万套，其中，第2季2.75G的出货量已占其中一半，与3G不相上下。市场密切关注这一波RF晶片缺货，对联发科本季智慧型手机晶片...[详细]
台积电是否参股ASML 45天揭晓

半导体微影设备大厂艾司摩尔（ASML）向台积电发出投资邀约，业界评估，台积电是否答应参股，最快45天内，也就是8月底前就会揭晓。英特尔藉由投资ASML，企图取得20纳米以下微影设备技术领先地位，攸关台积电、三星未来先进制程的竞争态势，台积电参股态度如何，预料将成为19日法说会焦点。英特尔宣布投资ASML 15%股权，震撼半导体业界。 ASML也对台积电、三星发出投资邀约，是ASML第...[详细]
仅用一个微处理器管脚驱动两个低静态电流的LED

　　两个简单的电路实现用电池供电的微处理器驱动两个LED。　　本设计方案的基础是使用三个电阻和一个微处理器I/O引脚作为输入高阻抗或输出，独立地驱动两个LED工作的电路（参考文献1）。本设计的想法听上去很好，主要出于微处理器缺少多余I/O引脚和简化设计的考虑。不幸的是，电路不能使于电池供电设计，因为其在正常工作下的有2mA泄漏电流，甚至在两个LED都不工作的情况下也存在。本设计方案改进了原电路...[详细]
采用热偶及2182A型纳伏表的微热量测量系统

　　微热量测量用来决定各种能量关系。在进行小尺寸样品或者慢加热速率的量热学实验时，常常需要使用微热量测量技术。根据具体的应用情况，微量热计的设计可能有很大的变化，并且很多都是用户自己设计制造的。在进行测试时，各种热量测量技术使用户能够测量小的温度变化。微热量测量实验可能要求测量低达100μ℃的温度变化。本文介绍两种温度传感器和采用热偶及2182A型纳伏表的微热量测量系统。　　 ...[详细]
日本计划将统一国内智能电视基本技术规格

据日本媒体报道，为了推动智能电视的普及，日本总务省将与国内电视机制造商、通讯公司等联合开发智能电视基本技术规格。　　日本总务省表示，新一代智能电视应具备面向各类制造商及软件公司的开放式技术标准。一旦各个公司都采用了通用的统一技术规格，那么连接不同品牌和系统的各种设备便能共通，很大程度上提高了便利度。　　为推进智能电视基本技术规格的统一，日本总务省计划在未来两年内与电视行业从业者展开...[详细]
深圳亿光P6室内led全彩屏进驻西藏山南地区国税局

2012-7-5日从西藏政治经济文化中心-山南地区传来喜讯，由深圳亿光科技有限公司（www.ledplay.com.cn）设计,生产,安装，位于山南地区国家税务局行政大厅的P6室内全彩LED屏成功点亮，运行稳定。据现场安装调试工程师介绍，LED显示屏安装工作经过了充分的准备协调工作，打开LED显示屏开关后未经任何额外辅助调试即以最佳的运行状态展现在用户的面前。现场协助安装的甲方工作人员对亿光LE...[详细]
元器件的连通性和绝缘电阻测试

　　通断性测试　　各种各样的装置都需要进行通断性检查，包括电缆成套件、印制板和连接器，以确保这些元件具有预期的连续通路。在设置通断性测试时，工程师必须规定电阻最大为多少时装置是可用的。例如，若测得的电阻为1Ω或更小，则表示装置良好。通断性检查需要测量低阻，因此通常使用4线欧姆表进行测量，从测量值中消除测量线和开关电阻。　　除进行通断性测试外，往往还会进行隔离电阻或绝缘电阻测试。尤其...[详细]
四线测量技术测量超导体的电阻

　　在极低的温度下，某些金属和合金失去其对电流的电阻变成超导体。超导体的转变温度和临界电流密度是两个经常要测量的参数。超导体的转变温度是材料的电阻从有限数值变为零的温度。临界电流密度则是在特定的温度和磁场条件下，材料变成电阻性之前所能载荷的最大电流密度。这两个参数越高，超导体就越好。确定这两个参数需要测量很小的电阻，所以纳伏表和可程控的电流源对于进行精密的测量工作是非常重要的。　　...[详细]
变频器控制回路的抗干扰措施

我们知道：变频器由主回路和控制回路两大部分组成，由于主回路的非线性（进行开关动作），变频器本身就是谐波干扰源，所以对电源侧和输出侧的设备会产生影响。与主回路相比，变频器的控制回路却是小能量、弱信号回路，极易遭受其它装置产生的干扰，造成变频器无法工作。因此，变频器在安装使用时，必须对控制回路采取抗干扰措施。变频器的基本控制回路同外部进行信号交流的基本回路有模拟与数字两种：（1）4 ~ 2...[详细]
中国移动加速TD-LTE网络测试 4G大战或将开启

天气热，中国移动的心更热，最近一段时间，中国移动在TD-LTE上举措频频。继在杭州、深圳等多个城市建成了TD-LTE试验网并启动了免费体验活动，之后，中移动又在加速推进北京的TD-LTE试验网进程，并开展用户体验服务。在上海，中移动透露TD-LTE将于明年上半年在内环线进行试点商用。不过另外两家竞争对手在LTE也并非无所作为，电信展示了自己的“蓝极光”计划，联通在上海建LTE试验网。在这场4...[详细]
机器人会杀死中国制造？

美国佐治亚洲的一家服装技术公司即将推出“机器人裁缝”。据称这项后金融危机时代的技术革新，能彻底改变“美国制造”的命运——它的成本更低，从而可以打败“中国制造”。美国由此可以扭转每年用1000亿美元逆差从中国、越南等地进口服装的尴尬。由电脑控制的自动缝纫机可以替代人工，“一针一线”缝制设计好的衣服，生产线上将看不到人。这代表了金融危机后美国“再工业化”的主要方向。有人称之为“自...[详细]
预计2014年推出一汽研发双VVT发动机

日前，从一汽集团获悉，一汽研发中心正在研发双VVT（双VVT指进、排气都有VVT功能）发动机，预计在2014年能够推出，届时一汽集团旗下所有自主品牌都将搭载该发动机。丰田卡罗拉上使用的双VVT发动机　　一汽集团内部人士透露，在一汽集团战略中，双VVT发动机才是传统车型节能的发展方向，节能效果要比启停系统和能量回收等配置效果更好。据介绍，一汽自主研发的发动机借鉴了丰...[详细]