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MSM511000A-10JS

描述:
Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20
分类:
存储    存储   
文件大小:
608KB,共13页
制造商:
概述
Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-J20
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ20/26,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.065 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
参数对比
与MSM511000A-10JS相近的元器件有:MSM511000A-10ZS、MSM511000A-10RS、MSM511000A-80JS、MSM511000A-80ZS、MSM511000A-70RS。描述及对比如下:
型号 MSM511000A-10JS MSM511000A-10ZS MSM511000A-10RS MSM511000A-80JS MSM511000A-80ZS MSM511000A-70RS
描述 Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20 Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP20 Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18 Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20 Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP20 Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1 DIP, DIP18,.3 SOJ, SOJ20/26,.34 ZIP, ZIP20,.1 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 100 ns 100 ns 100 ns 80 ns 80 ns 70 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20 R-PDIP-T18 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 18 20 20 18
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ ZIP DIP SOJ ZIP DIP
封装等效代码 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1 DIP18,.3 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.065 mA 0.065 mA 0.065 mA 0.075 mA 0.075 mA 0.085 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL ZIG-ZAG DUAL DUAL ZIG-ZAG DUAL
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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