型号
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| 型号 | MTD20N06HD | MTD20N06HD-1 | MTD20N06HDT4 |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK | Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts N−Channel DPAK |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | CASE 369D-01, DPAK-3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 369C-01 | CASE 369D-01 | 369C |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
| Is Samacsys | N | - | N |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
| 雪崩能效等级（Eas） | - | 60 mJ | 60 mJ |
| 外壳连接 | - | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 20 A | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 20 A | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 0.045 Ω | 0.045 Ω |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | - | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
| 湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 3 | 2 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | 240 |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 40 W | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 60 A | 60 A |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | NO | YES |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | - | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | 30 |
| 晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |