MTM8P18

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-3

厂商名称：NXP(恩智浦)

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

NXP(恩智浦)

包装说明

Reach Compliance Code

unknown

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

P-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

125 W

表面贴装

文档预览

参数对比

与MTM8P18相近的元器件有：MTH8P18。描述及对比如下：

型号	MTM8P18	MTH8P18
描述	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-3	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-218AC
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	8 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W
表面贴装	NO	NO

热门器件

器件捷径:

L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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