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MUBW35-06A6

Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Littelfuse

厂商官网:http://www.littelfuse.com

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
FAST
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
38 A
集电极-发射极最大电压
600 V
配置
COMPLEX
门极-发射极最大电压
20 V
JESD-30 代码
R-XUFM-X25
JESD-609代码
e3
元件数量
7
端子数量
25
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
104 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
220 ns
标称接通时间 (ton)
65 ns
VCEsat-Max
2.5 V
Base Number Matches
1
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