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NDS9959/L86Z

2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (ID)
2 A
最大漏源导通电阻
0.3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
25 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
8 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
170 ns
最大开启时间(吨)
110 ns
Base Number Matches
1
参数对比
与NDS9959/L86Z相近的元器件有:NDS9959、NDS9959/L99Z、NDS9959/D84Z、NDS9959/S62Z。描述及对比如下:
型号 NDS9959/L86Z NDS9959 NDS9959/L99Z NDS9959/D84Z NDS9959/S62Z
描述 2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2000mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2000mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω 0.3 Ω 0.3 Ω 0.3 Ω 0.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 25 pF 25 pF 25 pF 25 pF 25 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8 A 8 A - 8 A -
最大关闭时间(toff) 170 ns 170 ns - 170 ns -
最大开启时间(吨) 110 ns 110 ns - 110 ns -
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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