NESG210719-T1

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Renesas(瑞萨电子)

Reach Compliance Code

unknow

最大集电极电流 (IC)

0.1 A

最小直流电流增益 (hFE)

140

元件数量

极性/信道类型

NPN

最大功率耗散 (Abs)

0.2 W

表面贴装

YES

晶体管元件材料

SILICON GERMANIUM

参数对比

与NESG210719-T1相近的元器件有：NESG210719、NESG210719-A、NESG210719-T1-A。描述及对比如下：

型号	NESG210719-T1	NESG210719	NESG210719-A	NESG210719-T1-A
描述	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	unknow	unknow	-	compli
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	-	0.1 A
元件数量	1	1	-	1
极性/信道类型	NPN	NPN	-	NPN
表面贴装	YES	YES	-	YES
晶体管元件材料	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	-	SILICON GERMANIUM

热门器件

器件捷径:

A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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